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烧结温度对包混/复合添加工艺制备多孔SiC陶瓷性能的影响

杨阳 , 赵宏生 , 刘中国 , 张凯红 , 李自强

材料导报

采用包混工艺合成了核壳结构的先驱体粉体,并引入一定量Al2O3、SiO2和Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;分析了样品的物相、表面形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数、抗弯强度和抗热震性能.结果表明,在较低的烧结温度下制得了多孔碳化硅陶瓷,在1650℃烧结的多孔碳化硅陶瓷综合性能较好.

关键词: 碳化硅 , 多孔陶瓷 , 烧结温度 , 包混 , 复合添加

成型温度对多孔SiC陶瓷性能的影响

杨阳 , 赵宏生 , 刘中国 , 张凯红 , 李自强

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.05.013

以包混工艺合成了核-壳结构的先驱体粉体,并引入少量Al<,2>O<,3>,SiO<,2>和Y<,2>O<,3>作为复合添加剂,通过模压成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;研究了成型温度对样品的孔隙率、密度、热膨胀系数、抗弯强度和热震性能的影响.结果表明:成型温度对多孔碳化硅陶瓷的孔隙率、密度、抗弯强度及热震性能均产生了显著影响,对热膨胀系数影响较小.在80℃成型的多孔碳化硅陶瓷综合性能较佳,过低的成型温度使包覆在核-壳结构先驱体粉体外层的钡酚醛树脂不能充分流动,使最终多孔碳化硅陶瓷样品结构松散、强度降低;而过高的成型温度使钡酚醛树脂过分流动,对添加剂粉体形成包覆再经过炭化后阻碍了添加粉体的充分接触,未能起到烧结助剂的作用.

关键词: 碳化硅 , 多孔陶瓷 , 成型温度 , 包混工艺 , 复合添加

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