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铝诱导表面织构玻璃及其对硅薄膜陷光作用的影响

刘勇 , 曹勇 , 董刚强 , 郭宇坤 , 刘丰珍

人工晶体学报

采用铝诱导表面织构方法在玻璃衬底上制备了蜂窝状的凹坑结构;使用热丝化学气相沉积技术在该类衬底上制备了硅薄膜.扫描探针显微镜(SPM)图像表明,通过改变刻蚀时间、刻蚀溶液比例、Al膜厚度和退火时间等制备条件,可以有效控制玻璃表面凹坑结构的尺寸,使其在直径上从0.5μm到6μm,深度上从60 nm到700 nm可调.光吸收谱测试表明此类衬底对硅薄膜的光吸收有着明显的增强效果,以凹坑平均直径为2.3 μm,深度为358nm的铝诱导表面织构玻璃为衬底所制备的厚度为150 nm的硅薄膜,在350~1200 nm波长范围内的光吸收与使用平面玻璃为衬底的样品相比可提高28.5%.凹坑的尺寸大小对光吸收增强效果有重要影响.

关键词: 铝诱导织构 , 热丝化学气相沉积 , 硅薄膜 , 陷光结构 , 玻璃衬底

HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜

郭宇坤 , 周玉荣 , 陈瑱怡 , 马宁 , 刘丰珍

人工晶体学报

采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(~30 nm)的硼掺杂硅薄膜.系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响.当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低.实验证实,当RH=55~70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区.快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率.在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜.

关键词: 热丝化学气相沉积 , 硅薄膜 , 硼掺杂 , 电学性能

氧化性在硅太阳电池织构中的作用

李国荣 , 周玉琴 , 刘丰珍

人工晶体学报

在单晶硅太阳电池的制备中,碱性腐蚀常被用于在晶体硅上形成金字塔结构,减小光的反射,提高太阳电池的效率.获得小而分布均匀的金字塔绒面结构有利于提高太阳电池的转化效率.本文通过优化NaClO织构工艺,获得了金字塔平均尺寸为1.4 μm,平均表面反射率为11.5%的织构绒面,并探索了形成小金字塔的机理.认为NaClO具有一定的氧化性是其形成小金字塔的可能原因.为了研究氧化性在织构中的作用,采用在无氧化性的NaOH溶液中分别通入了氧气和氩气.实验结果表明,在常规的NaOH织构过程中加入氧化剂有助于减小金字塔的尺寸.由于NaClO溶液自身既具有碱性,又具有氧化性,织构时不需要额外地加入氧化剂.与常规织构所用的NaOH溶液相比,NaClO溶液更易得到小而分布均匀的金字塔绒面,更适用于太阳电池的制备.

关键词: 次氯酸钠 , 晶体硅织构 , 织构机制 , 氧化性

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