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四足配体铽配合物-蒙脱土超分子复合发光材料的插层组装、表征和性质研究

蒋维 , 唐瑜 , 徐丽 , 刘伟生 , 谭民裕

中国稀土学报

用两种方法分别将四足配体铽配合物[TbL(NO3)]2+和[TbL]3+插层组装到了蒙脱土(MT)层板间,制备出超分子复合发光材料[TbL(NO3)]2+-MT和[TbL]3+-MT.方法一:通过离子交换反应让配离子[TbL(NO3)]2+取代钠基蒙脱土(Na-MT)中的Na+离子,插层组装到蒙脱土层板间.方法二:用配体L与铽基蒙脱土(Tb-MT)反应,使配体插入蒙脱土层板间与Tb3+离子配位.用元素分析、XRD,FT-IR,UV-vis和热分析对材料进行了表征,并对其荧光性质进行了研究.结果表明,复合材料保持了蒙脱土良好的层柱结构特征,其层间距d001值与插层配离子的直径吻合较好,配离子以单层形式分布于蒙脱土层板间,复合材料中配合物的热稳定性有明显提高.在紫外光激发下,复合材料发出较强的Tb3+特征荧光,其发射光谱与相应配合物的发射光谱很相似;复合材料中配合物的相对荧光强度较相应纯配合物有明显提高,荧光寿命较长;配合物的激发波长向可见光区发生位移,说明插层组装实现了对配合物激发波长的调制作用.

关键词: 四足配体铽配合物 , 蒙脱土 , 超分子复合发光材料 , 插层组装 , 荧光性质 , 稀土

Mo(Si0.95,Al0.05)2价电子结构计算及其性能分析

冯培忠 , 刘伟生 , 王晓虹 , 强颖怀

稀有金属材料与工程

根据固体与分子经验电子理论(EET),采用键距差法(BLD),分析并计算了C11b型金属间化合物MoSi2的价电子结构与理论键能:采用合金元素A1部分取代MoSi2晶格中的si原子,依据固体与分子经验电子理论在代位式固溶体中的平均原子模型,分析并计算了C11b型Mo(Si0.95,Al0.05)2的价电子结构与理论键能.结果表明:A1微合金化改变了Mo原子和Si原子的杂化状态,从而使相应的价电子结构参数发生变化.与MoSi2相比,Mo(Si0.95,Al0.05)2固溶体中共价电子数在总价电子数中所占的比例(η)由65.87%降至64.28%,因而A1微合金化不利于MoSi2强度的提高;但是晶格电子数由4.7141增至4.9202,所以A1微合金化有利于MoSi2塑性的改善.

关键词: 二硅化钼 , 铝合金化 , 价电子结构

Mg微合金化对MoSi_2价电子结构及性能的影响

冯培忠 , 刘伟生 , 王晓虹 , 强颖怀 , 刘炯天

材料热处理学报

为了预测Mg微合金化对MoSi2性能的影响,运用固体与分子经验电子理论(EET),采用键距差(BLD)以及平均原子模型的方法,对MoSi2和Mo(Si0.95,Mg0.05)2固溶体进行价电子结构分析,并计算各键键能。结果表明:Mg微合金化改变了Mo原子和Si原子的杂化状态,从而使相应的价电子结构参数发生变化。Mg微合金化之后,最强键上共价电子对数和键能降低,表明固溶体的熔点和硬度降低。共价电子数在总价电子数中所占比例下降,晶格电子数增加,因而Mg微合金化之后宏观上表现为材料的强度降低,但是塑性和导电性增加,脆性降低。

关键词: MoSi2 , 微合金化 , 固体与分子经验电子理论 , 价电子结构 , 性能

用于溅射靶材的高纯钌粉的制备工艺研究

章德玉 , 刘伟生

稀有金属

采用超重力旋转填料床反应器氧化减压蒸馏装置,从一次钌盐酸吸收液中氧化蒸馏赶锇、提钌.氧化蒸馏出的RuO4经盐酸吸收还原,制得纯的钌盐酸溶液;经氯化铵结晶沉淀,所得的氯钌酸铵沉淀物在氢气氛围下煅烧还原,制得高纯海绵钌;海绵钌经王水与氢氟酸混合酸煮洗,在氢气氛围下干燥后制得纯钌粉.经辉光放电质谱法—GDMS分析,钌粉纯度达到99.999%以上,可直接用于溅射靶材.该工艺采用物理与化学、湿法与火法相结合的提纯技术,制得用于溅射靶材的高纯钌粉.超重力旋转填料床反应器氧化蒸馏具有可连续化作业、操作时间短、提钌率高、制备高纯含钌盐酸溶液产品质量稳定的特点.

关键词: 超重力旋转填料床反应器 , 钌盐酸溶液 , 氧化 , 蒸馏 , 高纯钌

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