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磁电复合材料CuFe2O4／PbZr0.53Ti0.47O3的内耗与介电损耗

戴玉蓉 , 包鹏 , 朱劲松 , 沈惠敏 , 刘俊明 , 王业宁

金属学报

制备了组分为xCuFe2O4-(1-x)PbZr0.53Ti0.47O3(其中x=0．1，0．2，0．3，1．0)的磁电复合材料，XRD实验表明，样品中只存在着CuFe2O4和PbZr0.53Ti0.4703相．利用多功能摆测量了样品在低频下(0.1--6．4Hz)的内耗，同时利用HP4194A阻抗分析仪测量了样品低频(100Hz--1 MHz)的介电损耗，分析了复合物中CuFe2o4和PZT对内耗及介电损耗分别所作的贡献．

关键词: 内耗 , null , null

用准分子脉冲激光淀积制备钽酸锂光波导薄膜

刘俊明

人工晶体学报

关键词:

硝酸钡晶体水溶液生长宏观稳定性的实时观测研究

刘俊明

人工晶体学报

关键词:

硝酸钡晶体水溶液生长过程中层错及其生长动力学的实时观测研究

刘俊明

人工晶体学报

关键词:

磁电复合材料CuFe2O4/PbZr0.53Ti0.47O3的内耗与介电损耗

戴玉蓉 , 包鹏 , 朱劲松 , 沈惠敏 , 刘俊明 , 王业宁

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.023

制备了组分为xCuFe2O4-(1-x)PbZr0.53Ti0.47O3(其中x=0.1,0.2,0.3,1.0)的磁电复合材料.XRD实验表明,样品中只存在着CuFe2O4和PbZr0.53Ti0.47O3相.利用多功能摆测量了样品在低频下(0.1-6.4 Hz)的内耗,同时利用HP 4194A阻抗分析仪测量了样品低频(100 Hz-1 MHz)的介电损耗,分析了复合物中CuFe2O4和PZT对内耗及介电损耗分别所作的贡献.

关键词: 内耗 , 磁电效应 , 介电损耗

非规则共晶定向凝固结构的标度律

刘俊明 , 刘治国 , 吴状春

金属学报

数值求解了Al-Si共晶定向凝固耦合方程,讨论了凝固界面形态作为共晶相间距函数的变化规律共晶凝固界面临界分叉态对应于边缘稳定点和界面位置的极大值点。α-液相界面临界分叉是局域规则层状结构相间距选择点,而非规则片状结构相间距的选择点对应于β-液相界面临界分叉导出的两种结构的标度律得到了试验测定结果的支持

关键词: 非规则共晶 , directional solidification , scaling law

Al-Si共晶强制性非稳态生长实验研究

刘俊明 , 周尧和 , 商宝禄

金属学报

本文在定向凝固系统上用变速抽拉方法试验研究了Al-Si共晶强制非稳态生长过程。在加速生长过程中,共晶相间距对生长速度的响应呈滞后效应,响应机制是共晶Si相成簇分枝和局域“终结”延伸。在减速生长过程中,Si相成簇分枝和“终结”伸缩机制仍控制相间距;共晶相间距由初始生长速度决定,对生长速度下降不产生响应。

关键词: Al-Si共晶 , nonstable growth , Si-phase

Al-Si共晶生长过程中Si相分枝的分维特征

刘俊明 , 周尧和 , 商宝禄

材料研究学报

本文研究了Al-Si 共晶强制性稳态生长过程中Si 的分枝特征,指出Si 分枝簇是一类分维结构,并测出其分维值D_f=1.74±0.10,此值同Laplace 分维(LF)模拟值相近。而且测定结果表明D_f 同生长速度和温度梯度没有明显的相关关系,Si 相分枝是自相似的。讨论了Si 相分枝生长的随机性问题。

关键词: 分维 , Al-Si eutectic , silicon-branching process