刘力锋
,
陈诺夫
,
张富强
,
陈晨龙
,
李艳丽
,
杨少延
,
刘志凯
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.030
利用质量分离的低能离子束技术,获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、 X射线衍射法(XRD)以及X射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性.测试结果表明,在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态.非晶薄膜在400 ℃下退火20 min后晶化,没有Fe的硅化物相形成.退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低.
关键词:
低能离子束
,
硅
,
铁
,
薄膜
刘力锋
,
陈诺夫
,
张富强
,
陈晨龙
,
李艳丽
,
杨少延
,
刘志凯
功能材料
利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.
关键词:
低能离子束
,
硅
,
铁磁性
,
磁性半导体
刘力锋
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
杨霏
,
周剑平
,
张富强
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.004
采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性.
关键词:
离子注入
,
锗
,
铁磁性
,
稀磁半导体
刘力锋
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
杨霏
,
周剑平
功能材料
利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的结构特性,俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性.磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性.结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导体MnxGe1-x结构可能是样品表现室温铁磁性的主要原因.
关键词:
离子注入
,
铁磁性
,
MnxGe1-x
