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以Ni-Al为底电极的P(VDF-TrFE)铁电电容器的结构与性能

闫会芳 , 赵庆勋 , 付跃举 , 刘卓佳 , 张婷 , 郭建新 , 任国强 , 刘保亭

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.015

应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al异质结电容器.X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量.研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6 μC/cm2和45.7 V.在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6A/cm2.漏电机制研究表明,Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制.铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象.

关键词: P(VDF-TrFE) , 铁电薄膜 , 非晶Ni-Al , 溶胶-凝胶

硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究

陈剑辉 , 刘保亭 , 赵冬月 , 杨林 , 李曼 , 刘卓佳 , 赵庆勋

材料导报

随着集成电路向超大规模的发展,Cu互连技术已成为硅工艺领域的热点话题,其关键技术之一--扩散阻挡层的研究越来越受到人们的关注.结合课题组阻挡层的研究工作,介绍了当前Cu互连技术中难熔金属及其氮(碳、硅、氧)化物、多层膜、三元化合物等各类扩散阻挡层材料的研究发展现状,论述了阻挡层的厚度问题、阻挡层研究过程中的分析表征方法以及当前Cu互连的理论研究现状,归纳并分析了阻挡层的失效机制.

关键词: Cu 互连 , 扩散阻挡层 , 失效机制

Pb过量对以Ti-Al为阻挡层的硅基铁电电容器极化翻转性能的影响

刘卓佳 , 刘保亭 , 彭增伟 , 代秀红 , 闫会芳 , 付跃举 , 赵庆勋

人工晶体学报

以射频磁控溅射法生长的La0.5Sr0.5CoO3( LSCO)为电极,采用溶胶-凝胶法在以Ti-Al为导电阻挡层的Si基片上生长了用不同Pb过量前驱体溶液(溶胶)制备的LSCO/Pb( Zro4Ti0.6)O3(PZT)/LSCO电容器,以此构造了Pt/LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si异质结.Pb过量对LSCO/PZT/LSCO电容器极化翻转性能的影响表明:不同Pb过量溶胶对电容器的极化翻转性能影响很大,其中Pb过量15%的溶胶制备的样品在550℃常规退火1h后相对具有较好的翻转性能.在5V的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的矫顽电压和剩余极化强度分别为1.25V和24.6μC/cm2.疲劳和电阻率测试分析表明:在经过109翻转后,不同样品的抗疲劳性能均很好,而电阻率随前驱体溶液Pb过量的增加呈现下降的趋势.

关键词: Pb过量 , 铁电电容器 , PZT , 极化翻转 , 溶胶-凝胶

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