夏国栋
,
刘青
,
王敏
,
马晓雁
,
刘启明
,
马重芳
工程热物理学报
微尺度传热是近几年来发展起来的一种重要传热技术,广泛应用于高集成度的电子器件的冷却.大功率半导体激光器的热沉积是限制其性能发挥和功率进一步提高的瓶颈.本文研究的热沉用于冷却一种以半导体激光条阵列为泵浦的大功率激光器,其10 mm×1 mm半导体激光条表面的热流密度高达400 W/cm2.本文对以无氧铜为材料、以水为冷却介质的微通道热沉的结构尺寸进行了优化设计.结果表明,热沉结构对热阻、泵功、半导体激光条表面温度分布有重要影响,其中微通道进出口宽度对泵功的影响最大.
关键词:
岐管式微通道热沉
,
二极管激光条
,
热阻
马晓雁
,
夏国栋
,
刘青
,
刘启明
,
马重芳
工程热物理学报
微射流阵列冷却热沉是利用射流冲击在驻点区能产生很薄的边界层来提高换热效率,合理的布置射流孔,可以极大的提高被冷却表面温度分布的均匀性.本次研究设计的热沉是5层结构的模块式铜微射流阵列冷却热沉(微射流孔直径d=0.15 mm),以氮气和去离子水为工质对阻力特性进行了实验研究,并与微射流阵列冷却热沉的理论计算进行了比较.结果表明,在微射流热沉中,热沉的实验压降值低于计算值,热沉总阻力主要是由局部阻力引起的,占到热沉总阻力的90%.
关键词:
热沉
,
射流
,
压降
刘启明
,
王淑艳
,
刘莉
,
李涛
,
杜沣
材料保护
为了改善镁合金微弧氧化膜的性能,在Na2SiO3-NaAlO2复合电解液中添加不同含量的纳米SiC对AM50镁合金进行微弧氧化.利用膜层测厚仪、共聚焦激光显微镜(CLSM)、扫描电镜(SEM)、能谱仪分别研究膜的厚度、表面粗糙度、微观形貌和元素分布,采用摩擦磨损试验机对镁合金微弧氧化前后的干滑动磨损行为进行了研究,测量摩擦系数和磨损速率,运用SEM和CLSM对磨损后的形貌进行观察,并用能谱仪分析成分.结果表明:随电解液中纳米SiC含量的增加,微弧氧化膜的厚度和表面粗糙度均增大,颜色加深,膜层的摩擦系数和磨损速率均呈现先减小后增大的趋势;当SiC含量为6 g/L时氧化膜的摩擦系数最小、磨损速率最低,耐磨性能较好.
关键词:
微弧氧化
,
Na2SiO3-NaAlO2复合电解液
,
纳米SiC
,
AM50镁合金
,
摩擦磨损
刘启明
,
夏国栋
,
刘青
,
马晓雁
,
马重芳
工程热物理学报
岐管式微通道(MMC)热沉具有热阻小、结构紧凑、冷却液流量小、流速低、沿流动方向温度分布均匀等优点.本文针对以去离子水为介质的岐管式微通道(宽W=100 μm,深H=300 μm)的流动特性进行了实验研究,实验的雷诺数范围为5O～3500.结果表明工质在微通道内流态由层流向紊流转变的临界雷诺数提前,此外数值模拟结果与实验值也吻合较好.最后在实验基础上,拟合出工质在层流和紊流下的流动阻力经验关联式.
关键词:
岐管式微通道
,
压降摩阻系数
,
实验关联式
徐龙生
,
刘启明
,
张凯松
膜科学与技术
doi:10.16159/j.cnki.issn1007-8924.2015.03.015
采用NaCl溶液作为驱动液,考察了不同的驱动液浓度、不同的膜材料对茶料液中茶多酚的浓缩效果,研究了正渗透过程中膜渗透性能(通量)、膜污染状况、膜清洗效果以及浓缩液中茶多酚的保留率.结果表明:正渗透浓缩茶多酚,以NaCl溶液为驱动液,可以获得较为稳定的通量,采用正渗透浓缩荼多酚具有一定的可行性;以PA-4M、CTA-4M、CTA-2.7M浓缩茶料液,在达到10倍的浓缩倍数时,对污染的膜用NaOH(pH=10)进行清洗25 min,其通量恢复率分别为100％、95.9％、96.1％,浓缩液中茶多酚的保留率分别为70％、79.3％、83.8％;采用CTA膜以2.7 mol/L NaCl溶液为驱动液进行浓缩较为合适.
关键词:
正渗透
,
驱动液
,
浓缩
,
茶多酚
,
膜污染
,
膜清洗
刘启明
,
干福熹
,
顾冬红
无机材料学报
采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析（XRD）、红外光谱分析（IR）、扫描电镜分析（SEM）和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.
关键词:
GeS2非晶半导体薄膜
,
ar ion laser illumination
,
photoinduced change
刘启明
,
干福熹
,
顾冬红
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.027
采用514.5nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)、扫描电镜分析(SEM)和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.
关键词:
GeS2非晶半导体薄膜
,
氩离子激光辐照
,
光致变化
