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新型紫外光源研制成功

江风益 , 熊传兵 , 彭学新 , 王立 , 李述体 , 姚冬敏 , 莫春兰 , 李鹏 , 周毛兴 , 周力 , 吴蔚登 , 刘和初

材料导报

关键词:

Si衬底GaN基LED理想因子的研究

刘卫华 , 李有群 , 方文卿 , 周毛兴 , 刘和初 , 莫春兰 , 王立 , 江风益

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.011

首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.

关键词: Si衬底 , GaN , LED , 理想因子

硅衬底GaN基LED的研究进展

莫春兰 , 方文卿 , 王立 , 刘和初 , 周毛兴 , 江风益

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.013

与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注.本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展, 同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31 Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED.

关键词: 发光二极管 , GaN , Si衬底