刘张李
,
邹世昌
,
张正选
,
毕大炜
,
胡志远
,
俞文杰
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.001
综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论.指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制.最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力.
关键词:
控制电路
,
存储单元
,
单粒子效应
,
电荷损失
王茹
,
张正选
,
俞文杰
,
毕大炜
,
陈明
,
刘张李
,
宁冰旭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.017
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固.辐射实验结果证明了该加固方法的有效性.PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力.
关键词:
绝缘体上硅
,
注氧隔离
,
总剂量辐照
,
纳米晶
