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注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能

王宁娟 , 刘忠立 , 李宁 , 张国强 , 于芳 , 郑中山 , 李国花

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.004

本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显.总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好.由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要.

关键词: SOI , MOSFET , 辐射加固 , 离子注入

反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

陆建祖 , 魏红振 , 李玉鉴 , 张永刚 , 林世鸣 , 余金中 , 刘忠立

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.031

以SF6/N2混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法:在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据训练模型学习,模型具有通用性,与设备无关.

关键词: 干法刻蚀 , 工艺仿真 , 人工神经网络

不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构

刘相华 , 陈猛 , 刘忠立 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.004

将氮和氧离子在不同能量下依次注入于硅片,并经1200oC,2h高温退火后,形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构.对该样品做俄歇电子能谱(AES)、剖面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)和击穿场强等测试,表明退火后形成具有Si-N-O、Si和Si2O夹心埋层的SOI结构.其击穿场强最大为5×106V/cm,与普通剂量SIMOX的相当.测试还发现氮在界面处有明显的富集效应,而且其在前界面的富集行为明显大于其在后界面的.

关键词: SOI , 离子注入

用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构

宁瑾 , 刘忠立 , 刘焕章 , 葛永才

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.017

提出一种新的牺牲层工艺.先将阳极氧化生成的多孔硅在 300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在 700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅.用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性.实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构.

关键词: 氧化多孔硅 , 牺牲层 , 悬空微结构 , 阳极氧化

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