植晓琴
,
邱利民
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甘智华
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曹强
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刘旸
工程热物理学报
针对当前低温超导电子、军事及空间探测等对液氦温区紧凑、长寿命、高可靠性制冷技术的需求,设计并研制了一台三级斯特林型脉管制冷机。讨论了制冷机第三级的回热器、脉管、调相机构等相关参数的设计,着重分析了液氦温区回热器长度与温度分布的特殊关系。实验中以He-4为工质,第三级在充压0.91 MPa,频率29.9 Hz,输入电功率100 W的工况下获得了4.97 K的最低无负荷温度,有制冷量25 mW@6 K。该结果首次证明了采用He-4为工质、以三级结构的斯特林脉管制冷机实现液氦温区制冷的可行性。
关键词:
斯特林型脉管制冷机
,
三级
,
液氦温区
黄大庆
,
黄俊
,
哈恩华
,
刘旸
,
吕明云
,
丁鹤雁
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.05.004
报道了不同溶剂体系中原位化学氧化合成PEDOT/CNTs纳米复合物的实验,用红外光谱( IR)、拉曼光谱、透射电子显微镜(TEM) 以及四探针电导率仪对合成的纳米复合物进行了表征,可以看出:采用乙腈作为反应介质环境,可以获得反应充分完全的具有理想形态的聚乙二氧噻吩包覆碳纳米管的纳米复合纤维;通过对合成纳米复合纤维进行导电性方面的表征,证明通过一维纳米形态的碳纳米管和导电聚乙二氧噻吩的复合,可以获得具有更高导电性的纳米复合纤维.
关键词:
聚3,4-乙二氧噻吩(PEDOT)
,
碳纳米管(CNTs)
,
原位化学氧化合成
,
导电性
崔崇威
,
李绍峰
,
杨红
,
冯文涛
,
刘旸
,
焦雅吉
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.06.013
从常用水处理药剂中选择3种有机膦药剂PBTCA(2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸)、HEDP(羟基亚乙基二膦酸)、ATMP(氨基三亚甲基膦酸)与ClO2、ZnSO4复配,通过正交试验确定了最佳配方,并利用从头计算法对该配方进行了量子化学计算,分析了缓蚀性能和分子结构的关系.结果表明:P原子净电荷QP、电荷密度、分子的最低空轨道能E LUMO与缓蚀率有较好的相关性.同时,计算了Fe和ClO2的最高占有轨道能E HOMO和最低空轨道能E LUMO以及二者的差值△E,说明缓蚀剂供出电子与Fe作用的趋势要大于接受电子与Fe作用的趋势,而且PBTCA、HEDP和ATMP耐二氧化氯氧化的能力与缓蚀剂最低空轨道能与二氧化氯最高占有轨道能的差值(LUMOinhib-HOMOClO2值)有较好的相关性,试验数据也表明了缓蚀机理的正确性.
关键词:
二氧化氯
,
2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸
,
羟基亚乙基二膦酸
,
氨基三亚甲基膦酸
郭学益
,
江晓健
,
刘静欣
,
刘旸
,
刘子康
中国有色金属学报
根据带元器件废弃电路板多金属料成分特点,采用梯级碱溶处理工艺,实现多金属料中有价金属选择性分离.该工艺由低碱浸出和高碱氧化浸出两级组成.第一段主要实现Al的选择性分离,最佳工艺条件:NaOH溶液浓度1.25 mol/L,与多金属料液固比为10:1,浸出温度30℃,浸出时间30 min;第二段主要实现Zn、Pb、Sn与Cu的选择性分离,最佳工艺条件:初始NaOH溶液浓度5mol/L,体系溶液(80%的碱溶液+20%的H2O2溶液)与低碱浸出渣液固比10:1,H2O2溶液滴加速度0.4 mL/min,浸出温度50℃,浸出时间60 min.在此优化工艺条件下,金属的浸出率依次为Al 91.25%,Zn 83.65%,Pb 79.26%,Sn 98.24%;此外,98%以上的Cu和100%的贵金属在高碱浸出渣中富集.
关键词:
废弃电路板
,
梯级碱溶
,
两性金属
,
浸出率
刘旸
,
张国同
,
崔新军
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.019
目的:提高真空镀膜机镀膜时薄膜的抗激光能力,研究镀膜机箱体内本底真空度和残余气体对激光薄膜光学性能的影响程度。方法借用一台较高配置的真空镀膜机,为了方便定性和定量的研究,可预先有针对性地设定不同的本底真空度,同时配合不同的残余气体等各种情况,来制备激光薄膜。通过对各种激光薄膜的检测,分别研究不同的设定条件对制备激光薄膜的具体影响。结果油汽在分压强1.6×10-3 Pa时对激光薄膜的抗激光损伤阀值最高;水汽的分压强越大,对激光薄膜的抗激光损伤阀值最小;当氧汽分压达到1.5×10-2 Pa时,抗激光损伤阀值开始急剧变小;在压强小于2.0×10-4 Pa的范围内,薄膜的抗激光损伤阀值随本底真空度的增大而增大;压强大于5.0×10-5 Pa时,薄膜的抗激光损伤阀值逐渐减小。结论提高真空设备的本底真空度,降低真空系统中残余气体的数量、成分及含量,尤其是H2 O和O2是提高激光薄膜光学性能关键。
关键词:
激光薄膜
,
本底真空度
,
抗激光阀值
,
真空设备