孙述利
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张敏刚
,
周俊琪
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何文武
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刘晓峰
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孙刚
,
柴跃生
机械工程材料
用Gleeble-1500D型热模拟试验机对AZ31镁合金在变形温度200～400℃、应变速率0.01～1 s-1条件下进行热模拟压缩试验,研究了该合金的热变形行为,并获得了其变形的主要特征参数,建立了高温流变数学模型和功率耗散图.结果表明:热压缩时,AZ31镁合金流变应力受温度和应变速率影响显著,应力-应变曲线呈现出明显的动态再结晶特征,温度越高、应变速率越小,动态再结晶越容易发生;热变形过程受变形激活能控制,得到流变应力的关系式Ihε=35.74+9.96In[sinh(0.01σ)]-1.96×105/RT,耗散系数随温度升高和应变速率降低而逐渐增大.
关键词:
AZ31镁合金
,
热变形
,
功率耗散图
章荣会
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赵勇
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刘守宽
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张圣辉
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刘晓峰
,
朱磊
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2010.03.009
在大型高炉用低水泥Al2O3-SiC-C质铁沟浇注料的基础上,通过添加促硬剂、防爆剂,研制了能在热态下施工的环保、长寿的单铁口高炉出铁沟用Al2O3-SiC-C质快干防爆浇注料,同时,将出铁主沟改造为储铁式结构,将撇渣器过梁改为可更换式.在450 m3高炉铁沟上的使用实践表明:改造后的铁沟未经修补可连续使用69 d,出铁12万t;第一次修补历时12 h,烘烤时间仅1 h左右.结果显示:该技术可以大幅度延长单铁口高炉铁沟寿命,并彻底改变单铁口高炉出铁场的工作环境.
关键词:
高炉
,
单铁口
,
铁沟
,
快干
,
防爆
孙毅杰
,
刘晓峰
,
高祝兵
,
张杰新
连铸
对重钢炼钢厂因钢水可浇性原因导致的连铸机非计划断浇事故进行分析，认为主要原因是堵塞，包括钢水温度低水V1堵塞，钢包水口堵塞、中间包水口堵塞和中间包上水口碗部堵塞；其次是塞棒的异常侵蚀影响塞棒的控流。通过采取预防措施，铸机非计划断浇次数由1．8次／月降低至0．8次／月，钢种改判炉次由1．4炉／月降低至0．6炉／月，生产实践效果较好。
关键词:
可浇性
,
堵塞
,
侵蚀
,
非计划断浇
,
预防措施
孙杰
,
郑敏侠
,
刘渝
,
刘晓峰
,
谭惠民
高分子材料科学与工程
用差示扫描量热法(DSC)和修正的Avrami方程研究了聚丁二酸乙二醇酯(PES)、聚丁二酸丁二醇酯(PBS)、聚丁二酸己二醇酯(PHS)、聚己二酸己二醇酯(PHA)和聚癸二酸己二醇酯(PHSe)的非等温结晶动力学,得到了脂肪族聚酯的Avrami指数、结晶速率常数、结晶活化能和过冷度等结晶动力学参数.结果表明,脂肪族聚酯中酯基的含量决定了其结晶特性,脂肪族聚酯的过冷度随酯基含量的降低而降低,而结晶速率随酯基含量的降低而升高.刚性酯基的引入降低了分子链的柔顺性,从而降低了结晶能力并改变了聚合物的结晶机理.
关键词:
脂肪族聚酯
,
结晶动力学
,
生物降解
唐艳军
,
刘晓峰
,
夏军
,
薛国新
,
王进
功能材料
以纳米TiO2、壳聚糖双胍盐酸盐为抗菌剂,加以胶黏剂羧基丁苯胶乳、分散剂六偏磷酸钠、消泡剂叔丁醇,制备了TiO2/壳聚糖纳米复合涂料,利用SEM、FT-IR对涂料的微观形貌和基本结构进行了表征。以表面涂布方式将TiO2/壳聚糖纳米复合涂料施涂于纸张表面,制得涂布抗菌纸,对涂布抗菌纸的微观结构及抗菌性能进行了研究。结果表明,经TiO2/壳聚糖纳米复合涂料涂布后,纸张具备较强的抗菌性能;而且,实验发现,随着涂料体系中壳聚糖组分的不断增加,涂布纸的抗菌性能逐渐提高。当纳米TiO2/壳聚糖的加入比例为1∶1时,双层涂布后的纸张对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抗菌率分别达到86.55%和92.19%。
关键词:
纳米TiO2
,
壳聚糖
,
涂料
,
抗菌纸
,
抗菌效率
王团收
,
陈改霞
,
滕国强
,
胡浩
,
刘晓峰
硅酸盐通报
本文以特级铝矾土、红柱石颗粒、红柱石细粉、活性α-Al2O3微粉、硅微粉为原料,纯铝酸钙水泥为结合剂,三聚磷酸钠为减水剂,研究加入不同量红柱石颗粒及细粉对矾土质浇注料高温性能的影响.结果表明:红柱石反应生成莫来石和二氧化硅玻璃相可以显著提高矾土质浇注料的高温抗折强度和热震稳定性.综合考虑,红柱石的添加量以30％为宜,用于化铜炉内衬材料提高炉子的使用寿命.
关键词:
红柱石
,
特级铝矾土
,
莫来石
,
高温抗折强度
,
热震稳定性
冯玉春
,
刘晓峰
,
王文欣
,
彭冬生
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.023
为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温AlN.低温AlN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层.本文重点研究了低温AlN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-AlN生长温度.采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析.试验和测试结果表明低温AlN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-AlN插入层的生长温度为680℃左右.
关键词:
