董雷
,
张瑞康
,
江山
,
赵圣之
,
刘水华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.009
本文详细研究了采用Cl2/H2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响.通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究.详细研究ICP刻蚀系统中的压强、ICP功率、RF功率以及Cl1/H2刻蚀气体组分对损伤程度的影响.基于这些结果优化得到一组低损伤参数,最终实现刻蚀损伤深度小于16nm.
关键词:
等离子体刻蚀
,
干法刻蚀损伤
,
感应耦合等离子体
,
光荧光
