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Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究

刘磁辉 , 林碧霞 , 王晓平 , 刘宏图 , 傅竹西

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.016

本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究.结果发现:经几秒钟的RTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰.Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关.在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型.深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为Ec-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论.

关键词: Nd离子注入 , n型Si , 深能级 , 热退火

液滴喷射技术的应用进展

高琛 , 黄孙祥 , 陈雷 , 刘磁辉 , 刘小楠 , 鲍骏

无机材料学报

液滴喷射技术具有结构简单、成本低、定位精度高等优势,除喷墨打印外,在无模具成形、微机械和微器件制造、生物芯片、材料合成等领域有广泛的应用前景,本文综述这些进展,并简要介绍本课题组设计研制的8喷头组合溶液喷射合成仪及其性能、应用。

关键词: 液滴喷射 , freeforming , microfabrication , parallel synthesis

ZnO/P-Si接触及其温度特性

刘磁辉 , 刘秉策 , 马泽宇 , 段理 , 付竹西

功能材料

用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量.实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿.用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高.异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释.样品经Air~800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响.

关键词: 氧化锌 , 异质结 , 势垒 , 温度特性

液滴喷射技术的应用进展

高琛 , 黄孙祥 , 陈雷 , 刘磁辉 , 刘小楠 , 鲍骏

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.002

液滴喷射技术具有结构简单、成本低、定位精度高等优势,除喷墨打印外,在无模具成形、微机械和微器件制造、生物芯片、材料合成等领域有广泛的应用前景.本文综述这些进展,并简要介绍本课题组设计研制的8喷头组合溶液喷射合成仪及其性能、应用.

关键词: 液滴喷射 , 无模具成形 , 微制造 , 并行合成

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