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铝镁捣打料在熔镍中频感应炉上的应用

杨志宾 , 张荣伟 , 刘翠霞 , 辛英杰

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2001.02.024

关键词:

界面改性对SiC_f/Cu基复合材料热膨胀性能的影响

罗贤 , 杨延清 , 黄斌 , 李建康 , 刘翠霞 , 陈彦

稀有金属材料与工程

研究了SiC_f/Cu基复合材料分别在有无Ti6Al4V界面改性涂层两种情况下的纵向热膨胀行为,并采用扫描电镜对热循环后的试样进行显微形貌观察.结果表明,界面结合强度对纤维增强金属基复合材料的纵向热膨胀行为有很大影响.对于没有Ti6Al4V涂层的复合材料,其热膨胀行为不稳定,在经历连续两次热循环后,其纵向均表现为正的残余应变,原因是基体发生了严重的界面脱粘、滑移和膨胀;而对于有Ti6Al4V涂层的复合材料,其纵向热膨胀系数明显减小,两次热循环后其尺寸保持稳定,纤维/基体界面结合也保持稳定.

关键词: 金属基复合材料 , SiC纤维 , 热膨胀系数 , 中间层 , 界面结合强度

碘输运剂对CVT法制备ZnSe单晶的性能影响研究

刘翠霞 , 坚增运 , 罗贤 , 王宇鹏

稀有金属材料与工程

采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体.比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM和EDS检测方法分析了ZnSe晶体的结构、形貌和成分.结果表明:I2含量对ZnSe晶体性能具有重要的影响,通过比较3组I2含量所制备的ZnSe晶体,确定出当I2含量为4 mg/cm3时,所生长的ZnSe晶体具有较好的结晶质量,其晶格常数为5.668 nm.测定ZnSe中Zn与Se的原子分数比为1∶0.99,且只有1个衍射峰(2θ=27.2°),其晶面指数为(111).SEM图像表面比较平滑,没有明显气孔.在此条件下,ZnSe晶体的红外透过性能最好,红外透过率为53.07％～62.61％.其他两种I2含量下所生长的ZnSe晶体结晶质量较差,XRD图谱显示有多个衍射峰,SEM图像表面凹凸不平,有明显气泡和孔洞,并且其红外透过率较低.

关键词: ZnSe晶体 , 化学气相输运法 , 碘输运剂

涂碳前后SiC纤维的强度测试和评价

刘翠霞 , 杨延清 , 张荣军 , 任晓霞

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.02.015

测定了室温下涂碳前后化学气相沉积法(CVD)制备的国产SiC纤维的抗拉强度,发现威布尔分布可以较好地描述SiC纤维的抗拉强度的统计分布.分析得出以下结论,涂碳后与涂碳前的纤维抗拉强度的Weibull模数,及其平均抗拉强度相比,前者明显高于后者.涂碳后SiC纤维的表面缺陷大大减小.随着标距和应变速率的增加,纤维的平均强度逐渐下降,而Weibull模数基本不变.并对断口进行分析,结果表明SiC纤维呈明显的脆性断裂.

关键词: CVDSiC纤维 , Weibull模数 , 碳涂层

化学气相沉积SiC膜{111}取向生长的原子尺度模拟

刘翠霞 , 杨延清 , 黄斌 , 张荣军 , 罗贤 , 任晓霞

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00933

在化学气相沉积SiC膜过程中, 分别考虑了化学反应的动力学以及基底表面原子的沉积与扩散, 利用动力学蒙特卡罗方法, 建立了SiC膜{111}取向的三维原子尺度模型, 使用MATLAB模拟了原子尺度的SiC膜{111}取向生长过程. 模拟结果表明: 膜的生长经历了小岛的生成、小岛的合并与扩展、小岛间达到动态平衡三个阶段. 随着温度的升高, 膜的生长速率、表面粗糙度以及膜的厚度都增大. 随着生长速率的增大, 表面粗糙度增大, 相对密度减小. 模拟结果与理论和实验具有较好的吻合性.

关键词: 化学气相沉积 , chemical vapor deposition , kinetic monte carlo simulation , surface roughness , relative density

发电锅炉用高铝可塑料的研制

李宏伟 , 杨志宾 , 刘翠霞 , 张荣伟

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2001.05.021

关键词:

W/SiC界面反应层对SiC纤维拉伸断裂行为的影响

沈文涛 , 杨延清 , 张荣军 , 刘翠霞

稀有金属材料与工程

采用直流电热化学气相沉积(CVD)法制备出高强度SiC纤维(W芯),采用拉伸试验、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等对SiC纤维的强度、相组成、断口特征及微观结构进行了分析.结果表明,CVD-SiC纤维主要由β-SiC组成;制备过程中W芯同SiC发生化学反应,产生厚度约300 nm的界面反应层,且反应层处存在着较大的残余拉应力;高强度SiC纤维裂纹产生于W/SiC界面反应层处,而低强度SiC纤维的裂纹源多处于W芯内部或纤维表面.

关键词: SiC纤维 , W/SiC界面反应层 , 裂纹源

金属基复合材料界面残余应力的研究进展

娄菊红 , 杨延清 , 原梅妮 , 罗贤 , 刘翠霞

材料导报

综述了金属基复合材料界面残余应力的各种影响因素、残余应力的实验测试方法和理论分析方法及残余应力对复合材料宏观力学性能的影响,分析讨论了目前研究中存在的问题和不足之处,并指出了今后工作的重点与方向.

关键词: 金属基复合材料 , 界面 , 残余应力

化学气相沉积法连续SiC纤维的研究现状和发展趋势

刘翠霞 , 杨延清 , 徐婷 , 马志军 , 陈彦

材料导报

综述了采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究进展,介绍了国内外化学气相沉积法制备的大直径、致密和均匀的SiC纤维的制备装置、制备工艺、性能、微观组织以及表面处理等热点研究方向,讨论了SiC纤维的制备工艺、性能和微观组织之间的关系以及利用表面处理如何弥补SiC纤维的缺陷,指出了今后采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究重点和发展趋势.

关键词: 化学气相沉积 , SiC纤维 , 制备技术

HgI2晶体最低生长温度的确定

许岗 , 谷智 , 坚增运 , 惠增哲 , 刘翠霞 , 张改

人工晶体学报

为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.

关键词: 碘化汞 , 物理气相沉积 , 最低生长温度