张化宇
,
刘良学
,
马洪涛
,
刘凡新
,
刘会良
,
王东
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.010
采用FCVA工艺成功制备了ta-C薄膜,采用ECR-CVD工艺对部分ta-C薄膜试样进行氮等离子体处理,制备了ta-C:N薄膜.对两种薄膜的表面粗糙度与元素含量、沉积工艺参数之间的关系进行了研究.通过AFM对薄膜表面粗糙度进行了分析,通过XPS对薄膜的元素含量进行了分析.试验结果显示,沉积条件对薄膜厚度和元素含量具有明显的影响.对ta-C薄膜进行氮等离子体处理后,其表面粗糙度有一个明显的起伏变化.研究结果表明,氮能改变DLC薄膜表面的粗糙度.元素含量也随着薄膜的厚度变化而变化.
关键词:
ta-C:N
,
AFM
,
XPS
,
粗糙度
