刘金伟
,
刘国庆
,
江竹青
,
陶世荃
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.021
本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂LiNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系.通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑.测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系.并发现掺Zn的Fe:LiNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高.
关键词:
铌酸锂晶体
,
位错缺陷
,
侵蚀观测法
,
散射噪声
,
体全息存储
刘金伟
,
刘国庆
,
江竹青
,
陶世荃
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.025
按化学计量比,用提拉法成功生长了不同掺量的Tb:Fe:LiNbO3晶体,分别测量了掺杂LiNbO3晶体在紫外(313nm)曝光前后的吸收光谱,曝光后吸收谱线整体上移,找到了吸收谱线上移最大的掺量比.并用差热分析仪DTA测量了居里温度Tc, 从而计算出Li/Nb的比例.分析表明,Tb:Fe:LiNbO3晶体的存储性能与掺量、定比有密切的联系,是一种优良的大容量体全息记录材料.
关键词:
铌酸锂晶体
,
近化学计量比
,
吸收光谱
,
组分测定
刘金伟
,
张素花
,
杨宇婴
,
杨国琛
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.003
考虑挠曲电极化,但不考虑界面上离子选择吸附产生的极化,文章详细讨论了表面极化Ps对平行向列液晶盒阈值电压和饱和电压的影响.文章由自由能的角度推导得到指向矢n倾角θ满足的微分方程和相应的边界条件;推导得到约化阈值电压uth和约化饱和电压usat的方程;讨论了约化表面极化强度P对约化阈值电压uth和约化饱和电压usat的影响,并绘图表示,数值计算表明,表面极化对向列液晶盒的影响主要表现在界面锚定.
关键词:
液晶
,
表面极化
,
挠曲电极化
,
阈值电压
,
饱和电压
