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γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应

李锋锐 , 顾牡 , 何徽 , 畅里华 , 温伟峰 , 李泽仁 , 陈亮 , 刘金良 , 欧阳晓平 , 刘小林 , 刘波 , 黄世明 , 倪晨

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160262

采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex<49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.

关键词: γ-CuI晶体 , 超快闪烁体 , 衰减时间 , 能量响应

基于WO3/NiOx膜系的固态电致变色器件研究

冯博学 , 何毓阳 , 陈冲 , 伞海生 , 刘化然 , 张欣 , 刘金良 , 唐为国 , 尹经敏

功能材料

氧化钨和氧化镍是目前研究最多、应用最广的两种电致变色材料.本文详细地介绍了本实验室射频溅射WO3和NiOx薄膜的制备和性能以及以它们为基的夹层式固态电致变色器件的制作和性能.

关键词: WO3 , NiOx , 电致变色 , 射频溅射 , 电解质

电致变色材料及器件的研究进展

冯博学 , 陈冲 , 何毓阳 , 伞海生 , 王君 , 刘金良 , 唐为国

功能材料

电致变色材料被认为是目前最有应用前景的智能材料之一,在过去几十年里被广泛研究,相关的电致变色器件也已经上市.本文在总结了各种电致变色材料的变色机理及其成膜方法(重点介绍了本实验室采用射频溅射制备的WO3膜和NiOx膜)的基础上,研究了材料的应用及器件的组装,并对器件组装中所需要的部分其它关键材料进行了介绍.最后对未来电致变色材料及其应用进行了展望.

关键词: 电致变色 , 灵巧窗 , 射频溅射 , 导电聚合物 , 离子导体

RTM工艺中树脂流动管道的优化设计

刘金良 , 吴晓青

玻璃钢/复合材料 doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2008.06.010

RTM工艺中,树脂在管道中的流动符合达西定律的条件为流体的层流运动且雷诺数小于1.本文通过改变RTM工艺中管道的出入口长度和直径大小,采用有限元法,对管道中树脂的流动进行模拟,得出出口的速度与雷诺数的关系式和常用管道中树脂的流动速度范围.结果表明,出口速度跟长度关系不大,但跟管道的直径比有关.当进口直径分别为6mm、10mm、16mm、20mm,出口段的直径分别为6mm、10mm、16mm时,速度的最大值分别为694.442mm/s、416.667 mm/s和260.414mm/s.

关键词: RTM , 雷诺数 , 树脂流动速度 , 数值模拟

多晶氮化铜薄膜制备及性能研究

岳光辉 , 闫鹏勋 , 刘金良

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.032

采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17~26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变.

关键词: Cu3N薄膜 , 热稳定性 , 电阻率

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