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热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响

刘金铭 , 赵小如 , 赵亮 , 张安 , 王丹红 , 邵继峰 , 曹萌萌 , 常晓

人工晶体学报

采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜.实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明, 500 ℃预烧550 ℃空气退火的薄膜,经过550 ℃,1×10-2 Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3 Ω· cm,可见光范围内的平均透过率约为85%.

关键词: 溶胶-凝胶法 , Al掺杂ZnO(ZAO) , 热处理 , 晶体结构 , 光电性能

SiO2缓冲层对溶胶-凝胶法制备的SnO2∶Sb薄膜光电性能的影响

陈帅 , 赵小如 , 段利兵 , 白晓军 , 刘金铭 , 谢海燕 , 关蒙萌

材料导报

以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜.利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能.讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响.结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5%时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5%时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/口,电阻率达到1.1×10-Ω·cm.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 透明导电氧化物 , Sb掺杂SnO2 , 缓冲层

MgO相分离对Mgx Zn1-xO纳米粉体结构和光学性能的影响

谢海燕 , 赵小如 , 段利兵 , 白晓军 , 刘金铭 , 陈帅 , 史小龙

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法制备了MgxZn1-xO(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)纳米粉体.X射线衍射谱表明:在较高的温度(850℃以上)下退火,Mgx Zn1-xO纳米粉体从单一的纤锌矿结构相中分离出MgO相的掺杂浓度x约为0.13,且随着x的增加,MgO相含量呈指数型增长.室温光致发光谱显示:MgO相分离对紫外与绿光发射的相对强度有直接的影响,随着MgO相分离的出现,紫外发光峰蓝移,并随着MgO相的增加,紫外发光峰的强度受抑,绿光发光峰变强.样品的室温透过率显示:Mgx Zn1-xO的禁带宽度在x=0.1时达到最大值并受MgO相分离的影响而减小.

关键词: 溶胶-凝胶法 , MgxZn1-xO纳米粉体 , 相分离 , 光学性能

ZnO缓冲层退火温度对Ti02∶Eu/ZnO薄膜光致发光性能的影响

王丹红 , 赵小如 , 谢海燕 , 刘金铭 , 白晓军 , 陈长乐

材料导报

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响.结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强;XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱.

关键词: ZnO缓冲层 , 溶胶-凝胶法 , 光致发光 , 氧化钛 , Eu掺杂

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