于治国
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刘荣海
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周建军
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赵红
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华雪梅
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刘斌
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谢自力
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修向前
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宋雪云
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陈鹏
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韩平
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张荣
,
郑有炓
功能材料
研究了在草酸、磷酸不同电压条件下,阳极氧化铝(AAO)的孔结构特点.在较高电压下(60～120V),孔发生倾斜,并随电压的增大而加剧.通过建立与阻挡层/金属界面的应力有关的流模型对这一现象进行解释,并发现孔倾斜是AAO从无序到有序的一个自组织的现象.
关键词:
阳极多孔氧化铝
,
斜孔
,
应力
,
流模型
颜怀跃
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修向前
,
华雪梅
,
刘战辉
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周安
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张荣
,
谢自力
,
韩平
,
施毅
,
郑有炓
功能材料
在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AIN为缓冲层,使用氮化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15Km的c面GaN厚膜.并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质.分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层中存在的张应力较小,为0.17GPa,在363.7nm处具有很强的GaN带边发光峰,没有黄带出现.AIN缓冲层有效地阻止了Si衬底和反应气体发生非生长的附加反应,并减小了GaN厚膜自身残余应力,有利于Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜的生长.
关键词:
氢化物气相外延
,
HVPE
,
Si
,
GaN
谢自力
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韩平
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张荣
,
曹亮
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刘斌
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修向前
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华雪梅
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赵红
,
郑有蚪
材料科学与工程学报
本文报道了在GaN/蓝宝石作衬底生长Ge薄膜材料的外延生长及其特性研究。研究了不同外延生长条件。结果表明,使用低压化学气相外延技术在GaN/蓝宝石衬底复合衬底上可以生长Ge薄膜。高分辨X射线衍射谱研究得到了峰位分别位于2θ=27.3°、2θ=45.3°和2θ=52.9°的Ge峰.原子力显微镜研究表明得到的Ge薄膜的表面粗糙度为43.4nm。扫描电子显微镜研究表明生长的Ge/GaN/蓝宝石具有清晰的层界,表面Ge晶粒致密并且分布均匀。Raman谱表明所生长的Ge的TO声子峰位于299.6cm-1,这表明了生长的Ge薄膜具有良好的质量。
关键词:
Ge
,
GaN
,
衬底
,
低压化学气相沉积
