王华杰
,
刘学超
,
孔海宽
,
忻隽
,
高攀
,
卓世异
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160250
采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700 ～ 1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200 ～ 400μm,光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明:AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌,台阶宽度为2～4μm,高度在几个纳米;拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量.PVT法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢,Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长,进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构.AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充,通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究,有望在微型光电器件领域表现出应用价值.
关键词:
Ⅲ-Ⅴ族半导体
,
氮化铝(AlN)晶体
,
六方微米柱
,
物理气相输运(PVT)
卓世异
,
刘学超
,
熊泽
,
陈之战
,
杨建华
,
施尔畏
人工晶体学报
ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点.传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系.而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性.本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展.
关键词:
稀磁半导体
,
ZnO
,
非磁性元素掺杂
,
室温铁磁性
卓世异
,
刘熙
,
高攀
,
严成锋
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160268
施主受主共掺杂的荧光4H-SiC可以通过复合发出可见光,影响其发光性能的一个重要因素是施主-受主掺杂的浓度.本研究通过PVT生长方法制备了3英寸N-B-Al共掺的4H-SiC晶体,采用Raman光谱、SIMS对晶体的结晶类型和掺杂浓度进行了表征;采用PL发射谱和激发谱、荧光衰减曲线表征和内量子效率对晶体的发光波长、强度、施主-受主对复合发光性能进行了研究.结果发现,低浓度Al掺杂样品在室温下发出黄绿色荧光.低浓度Al掺杂在晶体中提供较少的受主;高浓度B、N掺杂形成施主,从而贡献充足的电子-空穴对.这些电子-空穴的复合提高了施主-受主对复合的内量子效率,进而增强光致发光强度,增加平均发光寿命.
关键词:
碳化硅
,
光致发光
,
内量子效率
