卞留芳
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张春光
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陈维德
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许振嘉
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屈玉华
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刁宏伟
中国稀土学报
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜.用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜.注入以后的样品经过不同温度的退火.用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响.结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对铒的发光是不利的.通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应.
关键词:
Er
,
SiC
,
硅基材料
,
发光
,
稀土
张春光
,
卞留芳
,
陈维德
中国稀土学报
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕 GaN薄膜. 利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况. 结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤. 离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复,而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多. 不同几何配置的Raman谱研究表明,1000 ℃的高温退火导致了GaN的分解.
关键词:
GaN
,
Eu
,
金属有机物化学气相沉积
,
Raman散射
,
铕
,
稀土
