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C 掺杂浓度对 ZnO 薄膜电学和结构的影响

卞萍 , 孔春阳 , 李万俊 , 秦国平 , 张萍 , 徐庆

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.011

采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同 C 掺杂浓度的 ZnO∶C 薄膜，借助于 X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X 射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了 ZnO 薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了 C 在ZnO 薄膜中存在形式。结果表明，所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的 c 轴择优取向。随着 C 掺杂浓度的增加，薄膜的 n 型导电性能不断增强，其主要原因是ZnO 薄膜中的 C 替代 Zn 位起施主作用。

关键词: C掺杂ZnO , 电学特性 , XPS , Raman