卢亚军
,
王宏志
,
李耀刚
,
张青红
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11775
采用高温固相反应法制备了一系列白光LED用CaSi2O2N2: 0.05Eu2+, xDy3+, xLi+(0≤x≤0.03)荧光粉. 利用X射线衍射仪对样品的物相结构进行了分析, 结果表明: Dy3+和Li+离子的掺入没有改变CaSi2O2N2: Eu2+荧光粉的主晶相. 利用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了测试, 发现所有样品的激发光谱均覆盖了从近紫外到蓝光的较宽范围, 400 nm激发下得到的发射光谱为宽波段的单峰, 峰值位于545 nm左右, 是Eu2+离子5d-4f电子跃迁引起的. Dy3+离子掺杂可以提高CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的发光强度, Dy3+与Li+共掺杂可进一步提高荧光粉的发光强度, 当Dy3+和Li+的掺杂量为1mol%时, 荧光粉的发光强度达到最大值, 是单掺杂Eu2+的荧光粉发光强度的157%.
关键词:
荧光粉; 共掺杂; 发光性能; 白光发光二极管
卢亚军
,
王宏志
,
李耀刚
,
张青红
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11775
采用高温固相反应法制备了一系列白光LED用CaSi2O2N2∶0.05Eu2+,xDy3+,xLi+(0≤x≤0.03)荧光粉.利用X射线衍射仪对样品的物相结构进行了分析,结果表明:Dy3+和Li+离子的掺入没有改变CaSi2O2N2∶ Eu2+荧光粉的主晶相.利用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了测试,发现所有样品的激发光谱均覆盖了从近紫外到蓝光的较宽范围,400 nm激发下得到的发射光谱为宽波段的单峰,峰值位于545 nm左右,是Eu2+离子5d 4f电子跃迁引起的.Dy3+离子掺杂可以提高CaSi2O2N2∶Eu2+荧光粉的发光强度,Dy3+与Li+共掺杂可进一步提高荧光粉的发光强度,当Dy3+和Li+的掺杂量为1mol％时,荧光粉的发光强度达到最大值,是单掺杂Eu2+的荧光粉发光强度的157％.
关键词:
荧光粉
,
共掺杂
,
发光性能
,
白光发光二极管
