卢朝靖
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王世敏
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邝安祥
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黄桂玉
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王龙海
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王典芬
材料研究学报
采用XPS方法研究了sol-gel工艺制备的KTN(x=0.35)薄膜的成分和结构.结果表明,除了表面被碳污染外,薄膜中无残余的碳和其他杂质.其成分与原料的化学计量比相近,且沿深度均匀分布.各元素的化学状态证实薄膜系钙钛矿型KTN结构.Ar+溅射后的XPS谱反映K严重偏低,Ta和Nb的化学状态改变,是Ar+轰击引起K择优溅射及化合物分解所致.
关键词:
钽铌酸钾(KTN)薄膜
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valence state. XPS
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sol-gel
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KTN thin film. Ar~+ sputtering
肖昕
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祁亚军
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卢朝靖
功能材料
用传统固相烧结工艺,制备了纯相的Bi4Ti3O12 (BTO)陶瓷,A位掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT),Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电陶瓷.X射线衍射结果表明,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构,La、Nd掺杂未改变BTO的晶体结构.铁电测试结果表明,BTO、BLT和BNdT陶瓷的剩余极化2Pr值分别为12.4、23.8和39.4μC/cm2.A位掺杂后,BLT、BNdT的2Pr值比未掺杂的BTO分别提高了1.92和3.18倍.漏电流测试表明,BLT、BNdT陶瓷的漏电流密度比BTO明显降低.A位掺杂显著提高了BTO陶瓷的铁电性能.
关键词:
铁电性
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陶瓷
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A位
,
掺杂
