卢波辉
,
赵新兵
,
倪华良
,
吉晓华
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2004.03.004
采用真空单轴热压( HUP)方法制备了 Bi2Te3基热电材料.结果表明, HUP试样的密度在原始区熔材料的 97%以上.所有 HUP试样的剪切强度都在 21MPa以上,与区熔 Bi2Te3基材料 (001)解理面的强度相比,提高 4倍左右.电学性能测试发现, HUP试样的电学性能低于区熔试样,其原因被认为主要是由于在材料粉碎和热压过程中,有效载流子浓度发生了变化.实验发现,相对于区熔试样, p型 HUP试样的最佳工作温度向低温方向偏移,而 n型 HUP试样的最佳工作温度向高温方向移动.
关键词:
半导体材料
,
热电材料
,
真空热压
,
Bi2Te3
,
强度
