卢红亮
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徐敏
,
张剑云
,
陈玮
,
任杰
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张卫
,
王季陶
功能材料
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景.本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展.
关键词:
原子层淀积(ALD)
,
金属氧化物薄膜
,
高k材料
卢红亮
,
徐敏
,
丁士进
,
任杰
,
张卫
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01217
以Al(CH3)3和H2O为反应源, 在270℃用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜. 采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立 叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究. 结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al--OH基团, 高温退火后, Al--OH基团几乎消失, 这归因于Al--OH基团之间发生反应而脱水. 退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1.52)比退火前的(1.57)更接近化学计量比的Al2O3. FTIR分析表明, 在刚淀积的Al2O3中有少量的--C 3存在, --CH3含量会随热处理温度的升高而减少. 此外, 在高温快速热退火后, Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善, 900℃热退火后其RMS达到1.15nm.
关键词:
Al2O3薄膜
,
atomic layer deposition
,
X-ray photoemission spectroscopy (XPS)
卢红亮
,
徐敏
,
丁士进
,
任杰
,
张卫
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.031
以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究.结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水.退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1.52)比退火前的(1.57)更接近化学计量比的Al2O3.FTIR分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少.此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1.15nm.
关键词:
Al2O3薄膜
,
原子层淀积(ALD)
,
X射线光电子能谱(XPS)
