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高温超导薄膜共面谐振器的微波响应研究

史力斌 , 王云飞 , 张琛 , 张国华 , 王东 , 柯于洋 , 罗胜 , 张雪强 , 李春光 , 黎红 , 何豫生

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.016

通过对YBCO/LAO和TBCCO/LAO高温超导薄膜共面谐振器共振频率f0与温度依赖关系的测量分析可以得到YBCO在绝对零度时的穿透深度λ0~198nm,TBCCO在绝对零度时的穿透深度λ0~200nm. 对上述两种共面谐振器的有载品质因数和插入损耗随温度变化的测量,结果表明TBCCO超导薄膜比YBCO具有更低的微波表面电阻.

关键词: YBCO , TBCCO , 薄膜 , 微波响应 , 共面谐振器

纤锌矿和岩盐结构ZnO的相变、弹性性质和电子结构研究

费英 , 成爽 , 史力斌 , 袁宏宽

人工晶体学报

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(USP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了岩盐结构(B1)和纤锌矿结构(B4)ZnO的相变、弹性性质,并分析了B1和B4相ZnO在相变点处的电子结构特征.计算结果表明:ZnO在12.72 GPa时发生了由B4相向B1相的转变.B1和B4相ZnO的体弹性模量分别为171.5 GPa和132.8 GPa.能带结构的结果表明B1相是间接带隙半导体,带隙值为1.404 eV,而B4相是直接带隙半导体,带隙值为1.107 eV.

关键词: 第一性原理 , 相变 , 弹性性质 , 态密度 , 能带结构

Cu掺杂ZnO铁磁性的研究

肖振林 , 史力斌

人工晶体学报

采用基于密度泛函理论(DFT)和局域密度近似(LDA)的第一性原理分析了Cu掺杂ZnO的磁性质.计算了6个不同几何结构的铁磁(FM)和反铁磁(AFM)耦合自由能,结果表明FM耦合更稳定.FM性质主要来源于Cu 3d与O2p原子之间的杂化.O空位和N杂质对Cu掺杂ZnO铁磁性的研究表明,O空位和N杂质不利于稳定其铁磁性质.通过研究Cu3d能级之间的耦合,阐述了Cu掺杂ZnO铁磁性产生的原因.另外,也分析了晶格轴应变和剪切应变对Cu掺杂ZnOFM耦合影响.

关键词: 第一性原理 , 铁磁性 , 缺陷 , 应变

利用微带谐振技术研究MgB2/Al2O3和YBa2Cu3O7-x/LaAlO3超导薄膜的微波性质

史力斌 , 张国华

低温物理学报

利用微带谐振技术研究了MgB2/A12O3和YBa2Cu3o7-X/LaAlO3(YBCO/LAO)超导薄膜的微波性质.一个颗粒尺寸模型被用来分析超导薄膜的穿透深度和表面电阻.结果表明,对于高质的YBCO/LAO,微波性质主要由颗粒决定.对于低质的MgB2/Al2O3,该薄膜的微波性质主要由颗粒边界决定.

关键词: MgB2/A12O3 , YBa2Cu3O7-x/IaAlO3 , 微波响应

关于YBCO/MgO超导薄膜电阻转变和微波性质的研究

史力斌 , 李明标

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.017

利用标准的四引线方法研究了磁场平行和垂直于YBCO/MgO超导薄膜表面时的电阻转变.另外,本文采用微带谐振技术研究了该超导薄膜的微波性质.我们获得了该超导薄膜在绝对零度时的穿透深度λ0=280 nm,并且计算出了该超导薄膜的表面电阻,结果显示在60 K,7.78 GHz时Rs=78.2μΩ;在76 K,7.77 GHz时Rs=179.8 μΩ.

关键词: 超导体 , 电阻转变 , 穿透深度 , 表面电阻

高压下Pca21相TiO2直接相变的第一性原理研究

董海宽 , 齐义辉 , 高亚军 , 修晓明 , 史力斌

人工晶体学报

利用第一性原理的GGA+U方法对TiO2的金红石相(P42/mnm)、铌铁矿相(Pbcn)和Pca21相(Pca21)进行了计算.首先,优化了这几个相的晶体结构及相关参数,分析了焓曲线图,发现在减压至8.4 GPa时,Pca21相直接相变为铌铁矿相.其次,通过拟合分析了三阶Birch-Murnaghan状态方程得到Pca21相的体弹模量B0与类萤石结构实验值(202 GPa)非常符合.最后,通过讨论Pca21相的相变压强和体弹模量,进一步证明Pca21相结构更符合类萤石实验结果.

关键词: 第一性原理 , TiO2 , 相变

4d过渡金属掺杂石墨烯体系对NO2分子的吸附

董海宽 , 齐义辉 , 李明标 , 修晓明 , 史力斌

人工晶体学报

基于第一性原理的密度泛函理论对NO2分子吸附在4d过渡金属掺杂的石墨烯体系进行了研究.发现Cd原子价电子构型为4d105s2,形成饱和结构,不容易掺入石墨烯体系.调查了三种NO2分子的吸附情况,分别是N原子、一个O原子、两个O原子靠近石墨烯体系吸附点.通过能量优化获得最稳定的吸附构型.通过吸附能、电荷转移等数据研究了各吸附构型对NO2的吸附情况.纯的石墨烯体系对NO2分子的吸附较弱,吸附能小于0.2 eV,而4d掺杂可以明显提高吸附体系的吸附性能,多数吸附能超过了2 eV.其中掺Nb原子对NO2吸附效果最好,且吸附构型较稳定,吸附能为3.686 eV.此外,通过比较吸附前后带隙的变化,可发现掺Zr原子,石墨烯体系由半导体转变为金属,而掺Nb原子,石墨烯体系由金属转变为半导体.

关键词: 石墨烯 , 二氧化氮 , 4d过渡金属 , 吸附

模拟分析发射层带隙及缺陷态对HIT太阳电池性能的影响

张研研 , 任瑞晨 , 史力斌

人工晶体学报

运用美国滨州大学研发的AMPS-1D程序,模拟计算了发射层对n型衬底上有背场的非晶硅/单晶硅异质结太阳电池光伏性能的影响.结果表明当发射层隙间缺陷态密度大于发射层掺杂浓度并达到一定值时,太阳电池的开路电压和填充因子将大幅度降低,从而导致电池的转换效率迅速衰减.发射层的带隙越大,电池的短路电流越大,而带尾宽度越宽,电池的开路电压越低,二者应达到最佳的匹配值才能使太阳电池达到更高的转换效率.

关键词: 太阳电池 , 发射层 , 转换效率 , 模拟

n型衬底上双面HIT太阳电池背场的模拟优化

张研研 , 任瑞晨 , 史力斌

人工晶体学报

采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了背场对TCO/a-Si∶ H(p+)/a-Si∶ H(i)/c-Si(n) /a-Si∶ H(i) /a-Si∶ H(n+)/TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响.结果表明在背场掺杂浓度NB≥1×1018cm-3时,带隙在1.60~ 1.92 eV范围内的宽带隙薄膜硅材料比较适合作为双面HIT太阳电池的背场.模拟中还发现,背场n+层掺杂浓度对太阳电池性能的影响要受到该层隙间态密度的制约,隙间态密度越大,则对背场掺杂浓度的要求越高.

关键词: 太阳电池 , 异质结 , 背场 , 模拟

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