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C/SiC复合材料表面SiC/Zr-Si-C/SiC复合涂层的制备及性能研究

向阳 , 李伟 , 王松 , 陈朝辉

人工晶体学报

为提高C/SiC复合材料的抗氧化性能,设计了致密的CVD-SiC涂层和多孔的熔盐法Zr-Si-C涂层相间的涂层体系.通过实验测试,建立了该涂层的生长模型,并考核了材料在1773 K的抗氧化性能.氧化结果显示,材料在氧化2h后的失重率为仅0.67%,弯曲强度保留率为99.7%,不同组成相间的结构涂层呈现出优异的抗氧化性能.

关键词: 陶瓷基复合材料 , 化学气相沉积 , 熔盐 , 涂层 , 氧化

氮流量对TaN薄膜微结构及性能的影响

王超杰 , 蒋洪川 , 张万里 , 向阳 , 司旭

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.017

采用反应直流磁控溅射法在Al_2O_3陶瓷基片上制备TaN薄膜,研究了氮流量(N_2/(N_2+ Ar))对TaN薄膜微结构及性能的影响.结果表明,随氮流量的增大,TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大,而沉积速率逐渐降低.当N_2流量较低(2%~4%)时,TaN薄膜中主要含有电阻率和TCR绝对值较低的六方Ta_2N相(hcp),薄膜的电阻率在344μΩ·cm到412μΩ·cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几十ppm/℃.当氮气流量较高(5%~6%)时,薄膜中Ta_2N相消失,薄膜中主要含有TCR绝对值较大的体心四方结构(bct)的TaN和四方结构(bct)的Ta_3N_5相,薄膜的电阻率在940μΩ·cm到1030μΩ·cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几百ppm/℃.

关键词: TaN薄膜 , TCR , 磁控溅射 , 氮流量

热轧板凸度控制研究

朱涛 , 吕敬东 , 向阳 , 康明 , 常军

钢铁钒钛 doi:10.3969/j.issn.1004-7638.2002.02.006

针对热轧板卷对板凸度的不同要求,从研究精轧工作辊热凸度、轧制计划编排、精轧负荷分配与平衡力控制、轧辊原始辊形和换辊周期入手,详细分析了各影响因素对板凸度的作用.提出了现阶段热轧板凸度的控制策略.

关键词: 板凸度 , 板形控制 , 轧制计划 , 负荷分配

脂肪酸相变储能材料热循环行为的试验研究

田胜力 , 张东 , 肖德炎 , 向阳

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2006.01.003

研究了一些脂肪酸作为相变材料的热稳定性.选用的脂肪酸为化学纯的癸酸、月桂酸、肉豆蔻酸和棕榈酸,其融化温度在30~60℃之间.利用差示扫描量热(DSC)技术测定了经过56、112、200和400次反复热循环的相变材料的融化温度和融化潜热,加速热循环试验结果表明:随着热循环次数的增加,相变材料的融化初始温度和融化潜热的变化很小,并且是没有规律的.但是,考虑相变材料的使用约为1年的热循环,在脂肪酸的热性能方面,这些材料作为潜热存储材料具有很好的热稳定性.

关键词: 脂肪酸 , DSC , 热循环 , 热稳定性

热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响

蒋洪川 , 向阳 , 王超杰 , 莫绍毅 , 雷云 , 张万里

材料导报

采用直流磁控溅射制备TaN薄膜,研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响.结果表明,退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻.随退火温度的升高和时间的延长,TaN薄膜的方阻逐渐增大,但当退火温度高于800℃时,由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大.退火可显著改善薄膜的TCR,制备态TaN薄膜的TCR值为-1.2X10-3,薄膜经800℃退火30min后,其TCR可降低到-7.0x10-4.

关键词: TaN薄膜 , 退火 , 微结构 , 方阻

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