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退火工艺对低压铝箔氧化膜和比电容的影响

吕亚平 , 毛卫民 , 何业东 , 杨宏

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.05.018

纯度99.988%的铝箔在300,400和500℃分别进行0.5,1和2h真空退火,然后利用电容法,间接测出退火箔的氧化膜厚度.用扫描电子显微镜观察部分退火箔的腐蚀形貌,测出相应的比电容.结果表明,在400℃退火时,铝箔的氧化膜厚度最小,300℃居中,500℃最大.在300℃退火时,随着保温时间的延长,铝箔的氧化膜厚度减小;而在400℃和500℃退火时,氧化膜厚度增大.500℃退火的铝箔,表面微量元素的分布接近于平衡状态,分布较均匀,铝箔表面腐蚀孔坑较细小,蚀坑密度大,比电容较高.而低温退火的箔样,微量元素偏聚在铝箔表面的位错露头附近,使铝箔表面出现大量的腐蚀孔坑,降低了比电容.

关键词: 铝箔 , 氧化膜 , 腐蚀 , 扩散

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