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图形化的衬底电极改善碳纳米管的场发射特性

吕文辉 , 宋航 , 金亿鑫 , 魏燕燕 , 郭万国 , 曹连振 , 陈雷锋 , 赵海峰 , 李志明 , 蒋红 , 缪国庆

功能材料

用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电场的两级放大.采用图形化衬底电极去制备碳纳米管阴极是改善碳纳米管场发射特性的一个简单、有效途径.

关键词: 碳纳米管 , 场发射 , 图形化的衬底电极 , 两级场放大

碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性

吕文辉 , 宋航 , 金亿鑫 , 魏燕燕 , 郭万国 , 曹连振 , 陈雷锋 , 赵海峰 , 李志明 , 蒋红 , 缪国庆

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.008

采用电泳法将碳纳米管组装到电化学淀积的银台阵列上作为场发射阴极并研究了它的场发射特性.场发射特性测试结果表明:该阴极具有优异的场发射特性,开启电场为2.8V/μm,在应用电场为5.5V/μm时,发射电流密度达到1.7mA/cm2.具有优异的发射性能的原因可以归结到银台的边缘和银台类山状的表面增强了碳纳米管的场致电子发射.该阴极制备工艺简单、发射特性优异,且容易实现大面积制备,可以应用到大面积场发射显示器件中.

关键词: 碳纳米管 , 场发射阴极 , 银台阵列 , 电泳淀积 , 电化学淀积

热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性

曹连振 , 蒋红 , 宋航 , 李志明 , 赵海峰 , 吕文辉 , 刘霞 , 郭万国 , 阎大伟 , 孙晓娟 , 缪国庆

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.009

采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论.

关键词: 碳纳米管 , 线阵列 , 热化学气相淀积 , 场发射特性

铁、钴或镍助剂促进的Ag/SiO_2催化剂上气相催化合成3-甲基吲哚

吕文辉 , 刘兴海 , 刘冬妍 , 石雷 , 孙琪

催化学报

将铁、钴或镍促进的Ag/SiO_2催化剂用于苯胺和1,2-丙二醇气相催化合成3-甲基吲哚的反应中,并采用X射线衍射、H2-程序升温还原和热重分析等技术对催化剂进行了表征.结果表明,铁或镍助剂的加入有助于提高Ag/SiO_2催化剂的选择性.其中,铁的加入能增强活性组分银与载体间相互作用,大大促进了银在载体表面上的分散,使催化剂的初活件显著提高.而钴或镍的加入虽然能略微减少反应过程中Ag/SiO_2催化剂表面的积炭,但加剧了银在反应过程中的烧结,导致催化剂稳定性下降.

关键词: , , , 助剂 , , 二氧化硅 , 负载型催化剂 , 3-甲基吲哚

硅纳米线阵列光阳极的制备及其光电转换性能研究

吕文辉 , 张帅

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.04.011

结合光刻和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备出了用于光伏型光电化学池的图形化硅纳米线阵列光阳极,并表征和研究了其光电转换性能.扫描电子显微镜和漫反射光谱测试表明光阳极表面为多孔状,在300nm - 1000nm的光谱范围之内光反射率低于5%.基于该光阳极的光电化学池具有明显的光响应,光电转换效率为0.33%.通过光电转换过程分析,光生载流子在硅纳米线/电解液界面上的复合可能是导致较低光转换效率的主要原因.

关键词: 硅纳米线阵列光阳极 , 光电化学池 , 光电转换

图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能

吕文辉 , 张帅

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112604.0486

结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能.扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化.场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发射,并且有利于获得图形化、低发散角的电子束.本研究提供了一种在硅基底上简单、有效地选域制备图形化硅纳米线阵列场发射阴极的途径,可潜在用于构筑各种真空微电子器件.

关键词: 图形化的硅纳米线阵列 , 金属援助硅化学刻蚀 , 场发射

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