孙江亭
,
吴昭君
,
唐婉如
,
高艳杰
,
吕树臣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.019
用高温熔融法制备了成分为:Er2O3,Lu2O3,SiO2,B2O3和Na2O的新型玻璃体系,探索了该玻璃体系的成玻范围,发现该玻璃体系在(摩尔分数)SiO2:0～50%,Lu2O3:0～25%和B2O3:20%以上的范围内均可形成完全透明的玻璃,在Lu2O3:10%.SiO2:50%,B2O3:30%和B2O3:30%,SiO2:60%两个组分附近时玻璃轻微失透.除此以外,在其他组分实验上没有得到玻璃.利用McCumtber理论计算出了样品的吸收和受激发射截面,并从玻璃1.5 μm的吸收光谱出发拟合出了Judd-Ofelt参数Ωλ(2,4,6).结果表明,该玻璃体系具有较大的吸收和受激发射截面.差热分析的数据表明,该玻璃体系具有极好的热稳定性.因此,从1.5μm发射的增益带宽和热稳定性两个方面来考虑,本文所制备的镥硼硅酸盐玻璃体系是一种具有应用潜力的掺铒光纤放大器的基质材料.
关键词:
铒离子
,
镥硼硅酸盐玻璃
,
J-O参数
,
发射截面
刘金霞
,
吕树臣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.045
本文用共沉淀法制备了纳米晶ZrO2:Tm3+荧光粉,并对它的晶体结构、颗粒大小和光致发光性质进行了表征.XRD测试结果表明:以此工艺制备的纳米晶ZrO2:Tm3+含有单斜相和四方相两种微观结构,四方相的含量与热处理的温度有关,Tm3+离子的掺入有稳定ZrO2四方晶相的作用.测量了各样品的荧光激发和发射光谱,当以264nm(3H6→3P2)和359nm(3H6→1D2)光激发分别得到Tm3+的355nm(1I6→3H4或3P0→3H4)和459nm(3P0、1I6→3F4或1D2→3H4)的较强荧光发射.通过对荧光强度与激活离子Tm3+浓度的关系研究发现:荧光强度先随浓度提高而增强,在浓度达1%摩尔数时达到最大,然后又随之降低.
关键词:
光致发光
,
晶体结构
,
纳米晶
,
ZrO2:Tm3+
马人佺
,
曲秀荣
,
吕树臣
,
徐岩岩
,
崔乃庚
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201606005
采用溶胶-凝胶与热压相结合的方法制备了镍掺杂 Ca3 Co4 O9＋δ基热电陶瓷,研究了镍掺杂量对其显微结构和电输运性能的影响。结果表明：随着镍掺杂量的增加,Ca3 Co4 O9＋δ基陶瓷的晶粒尺寸减小、织构含量降低、取向度下降；镍掺杂后使陶瓷晶界散射增强,导致电阻率和泽贝克系数增大,而功率因子降低,说明镍掺杂降低了该陶瓷的电输运性能。
关键词:
热电陶瓷材料
,
镍掺杂
,
显微结构
,
电输运性能
杨明珠
,
吕树臣
,
刘超
硅酸盐通报
采用微波法合成了Eu3+∶Y2O3纳米晶,通过控制制备条件得到了不同形貌的Eu3+∶Y2O3纳米晶.Eu3+∶Y2O3纳米晶的形貌随微波反应时间变化明显,当反应时间延长时,Eu3+∶Y2O3纳米晶由纳米球过度为纳米棒,表面态减少.随着表面态减少S6格位与C2格位比值增加,且电荷迁移带发生红移.同时,Eu3+∶Y2O3纳米晶的发光增强.结果表明Eu3+∶Y2O3纳米晶的发光行为与表面态关系密切.
关键词:
Eu3+∶Y2O3纳米晶
,
微波法
,
发光特性
刘金霞
,
吕树臣
,
李秀明
中国稀土学报
用化学共沉淀法制备了Sm3+掺杂浓度不同、煅烧温度不同的纳米晶ZrO2:Sm3+系列发光粉体,所制备的粉体均具有Sm3+离子特征强室温荧光发射.通过XRD分析发现:经600℃煅烧2 h后制备的纳米晶ZrO2:Sm3+是四方相结构;经800℃煅烧2 h得到的样品,以四方相为主,有少量单斜相;经950℃煅烧2 h后得到的样品,以单斜相为主,四方相的比例较小.不同煅烧温度下样品发光性质研究表明:因经不同温度煅烧制备的样品所处晶体场环境不同,发光中心也不同,经800和950℃煅烧的样品中稀土离子占据两种不同的格位,其一为四方相格位,其二是单斜相格位;ZrO2基质与Sm3+之间有能量传递,单斜相结构更有利于能量传递.荧光强度与掺Sm3+浓度关系研究表明:荧光强度先随Sm3+浓度提高而增强,在浓度达0.7%(摩尔分数)时达到最大,然后又随之降低.
关键词:
光致发光
,
稀土掺杂
,
纳米晶ZrO2:Sm3+
,
能量传递
,
稀土
杨明珠
,
牟海维
,
吕树臣
硅酸盐通报
本文采用沉淀法以SnCl2·H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器.分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响.随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大；而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol％时达到极大值.通过适当的掺杂,得到了漏电流为0.08 μA,非线性系数为80.3,压敏电压为1006.7 V1mA/mm性能良好的ZnO变阻器.
关键词:
ZnO变阻器
,
Sn掺杂
,
电性能
