吕江维
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冯玉杰
,
彭鸿雁
,
陈玉强
材料科学与工艺
为了获得高质量的金刚石薄膜,采用直流热阴极化学气相沉积系统分别在不同基片温度和不同碳源气体含量条件下生长金刚石薄膜,利用Raman光谱、SEM和XRD检测方法研究了基片温度和碳源气体含量对金刚石薄膜生长特性的影响.结果表明,金刚石薄膜与基片Mo之间有Mo2C的过渡层存在;1000℃的温度能够促进金刚石晶体的生长,抑制其他碳杂质的形成,CH4体积分数为2%适于快速生长高纯度的金刚石薄膜.
关键词:
金刚石
,
直流热阴极
,
化学气相沉积
刘峻峰
,
冯玉杰
,
吕江维
,
丁海洋
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.007
采用浸渍法和溶胶-凝胶法分别制备了含Mn中间层和SnO2表面催化层,并结合高温热氧化工艺制备了Ti/SnO2和Ti/MnOx/SnO2电催化电极.采用SEM、EDS和XPS等方法对两种电极进行了表征,使用大电流加速寿命实验详细研究了涂层的表面形貌、元素组成和化学态对两种电极稳定性的影响.结果表明:Ti/MnOx/SnO2电极的稳定性是Ti/SnO2电极的4.8倍,涂层使电极的稳定性显著提高.致密的涂层和较多的晶格氧能有效减少或阻止阳极的腐蚀,是电极稳定性提高的主要原因.
关键词:
无机非金属材料
,
Ti/MnOx/SnO2电极
,
中间层
,
稳定性
,
电催化氧化
吕江维
,
冯玉杰
,
彭鸿雁
,
陈玉强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00607
采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Raman和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电. 掺硼后辉光等离子体活性基团(Hα、Hβ、C2、CH)的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg·cm-2·h-1. 硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以(111)晶面为主,质量较未掺杂薄膜有所提高. 硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格,没有破坏金刚石晶体结构.
关键词:
金刚石
,
直流热阴极
,
化学气相沉积
,
硼掺杂
