孟庆昌
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吕苏华
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王文
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贾德昌
稀有金属材料与工程
采用固相反应法合成了SrBi2Ta2O9(简称SBT)和V掺杂SrBi2Ta2O9(简称SBTV)陶瓷,通过TG-DTA、XRD、SEM、TEM等技术手段研究了材料的烧结工艺、相组成和微观组织结构.研究表明:V2O5是一种很好的助烧剂,掺杂后材料的烧结温度可降低200℃烧结后纯SBT均为单一的钙钛矿相SBT;掺杂后2种成型工艺所制备的SBTV除了生成少量Bi4(V2O11)外,仍主要由钙钛矿相组成;同时所有的材料都发生了一定程度的择优取向.掺杂后材料的晶粒形态发生变化:棒状转化为片状.同时V掺杂后引起了晶格畸变,产生应变,SBTV材料在透射中观察到具有α-边界特征的90°畴.
关键词:
V-掺杂
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SBTV铁电陶瓷
,
电畴
郭淑兰
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李佳
,
吕苏华
功能材料与器件学报
本文采用x射线衍射法对溶胶-凝胶法备制B位掺杂Zr的铁电薄膜Bi3.15Nd0.85Ti3dZrdO12.对所制备的薄膜进行XRD测试、疲劳分析及铁电性能分析.结果表明:对BNT进行B位Zr4+掺杂后,随着掺量的增加,BNTZ薄膜的剩余极化值逐渐增加,当x=6％时达到最大,随后随着Zr掺量的继续增加,剩余极化值开始减小,而矫顽电压Vc值几乎没有什么变化;掺杂了Zr薄膜的疲劳特性均比未掺杂的BNT薄膜的要差一些.
关键词:
薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
B位掺杂
