姜楠
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刘军
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洪玮
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张娟
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吴伟骏
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林鹏飞
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骆英
人工晶体学报
运用溶胶-凝胶法在Si/SiO2/Ti/Pt基底上制备了掺杂不同量的Y3+的单层Ba0.65Sr0.35TiO3 (BST)薄膜和并联结构的BST/ZrO2复合薄膜.研究发现:当BST溶胶中掺入了适量的Y3+后,制备的单层BST的表面形貌得到改善,介电性能提高;掺杂的Y3+为1mol％时单层BST薄膜介电性能最佳,介电常数为400.53;介电损耗为0.0125.BST/ZrO2复合薄膜的电容值相对于单层BST薄膜得到明显提高,当烧结温度为750℃时,BST/ZrO2复合薄膜综合介电性能最佳,介电常数790.12;介电损耗达到0.051.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
BST薄膜
,
BST/ZrO2复合薄膜
,
介电性能
任超
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刘军
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李永泉
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骆英
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张娟
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吴伟骏
硅酸盐通报
以钛酸锶钡(BST)超薄片为基体材料,添加聚偏氟乙烯(PVDF)聚合物,制备出具有较高柔性的2-2型陶瓷基复合薄膜.结果表明不同PVDF/NMP比值的复合薄膜的介电常数在所测频率范围内(100 Hz ～ 10 MHz)均呈现出先下降,然后趋于平稳,最后再慢慢下降的趋势.不同PVDF/NMP比值薄膜的介质损耗在该频率段内均呈现出先下降后上升的趋势.当PVDF∶ NMP为1∶8时,复合薄膜的综合性能达到最佳,在100 Hz时,薄膜介电常数为60,介质损耗为0.14.
关键词:
BST超薄片
,
PVDF
,
介电常数
,
介质损耗
张娟
,
刘军
,
吴伟骏
,
洪玮
,
姜楠
,
骆英
稀土
doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201703002
为获得高介电常数低介电损耗的钛酸锶钡陶瓷,采用固相反应法制备了Y3+掺杂BST60,BST65,BST70陶瓷.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪,对陶瓷的微观结构和介电性能进行了测量.研究发现,Y3+的掺入并未改变陶瓷母体结构,Y3+在BST中形成了连续固溶体.最佳烧结温度处,随Ba/Sr比增大,晶粒尺寸增加;同一Ba/Sr比下,掺杂Y3+能促进晶粒生长,由开始的平均1 μm增大为3μm～4 μm,尺寸连续分布,致密度提高.适量Y3+掺杂有利于提高材料介电常数,降低介电损耗.当烧结温度为1450℃,Y3+掺杂量为0.3％(摩尔分数)时,BST70陶瓷相对密度为95.7％,介电常数最大为27891;此时BST65介电常数为17811,损耗最小为0.00869,频率稳定性最好.
关键词:
稀土
,
钛酸锶钡
,
介电常数
,
介电损耗
,
陶瓷
,
Y2O3
