材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

Ⅰ-线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在50KV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1min.其灵敏度比PMMA快5倍,分辨率为0.5μm.采用两种方法制备GaAs PHEMT,首先,用I线光致抗蚀剂,源、漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT.将源、漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余部分由光学曝光系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT.

关键词: Ⅰ-线光致抗蚀剂 , 栅长 , 混合与匹配光刻

GaAs背面通孔刻蚀技术研究

陈震 , 魏珂 , 王润梅 , 刘新宇 , 刘训春 , 吴德馨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.024

比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl2F2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl2F2/Ar混合气体组分配比,在CCl2F2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率Ps=400W,偏压功率Pb=14W,自偏压Vb=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min).

关键词: 通孔 , 感应离子耦合(ICP) , 干法刻蚀

深亚微米栅HFET器件工艺研究

郑英奎 , 和致经 , 吴德馨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.016

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField-EffectTransistor)器件,并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究.形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=78GHz;gm=440ms/mm).

关键词: 混合曝光 , HFET , T型栅

2.5～10Gb/sHEMTIC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究

高建军 , 袁志鹏 , 吴德馨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.004

主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电路HEMTIC设计开展研究.着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5～10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足2.5～10Gb/s高速光纤通信系统需要.

关键词: 高速光集成电路 , 光发射机 , 驱动电路 , HEMT器件

材料期刊网

电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光

GaAs背面通孔刻蚀技术研究

深亚微米栅HFET器件工艺研究

2.5～10Gb/sHEMTIC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词