材料期刊网

HEMT器件小信号等效电路低温模型的提取与分析

何川 , 王生旺 , 李斌 , 王自力 , 吴志华

低温物理学报

高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号等效电路模型是研制低噪声放大器与分析晶体管微波特性的基础.本文通过测量HEMT器件在低温环境下(10 K、77 K)直流参数与散射参数(S参数),提出了一种能够直接提取低温环境下HEMT器件小信号等效电路中各元件参数的方法,并且根据器件的Ⅰ～Ⅴ模型分析了低温下直流参数变化的原因.在覆盖10 GHz以下频段分别提取栅长为0.15 μm与0.3μm两款HEMT器件的小信号等效电路低温模型,实验显示理论计算结果与实测的S参数具有很好的吻合度.

关键词: 高电子迁移率晶体管 , 直流参数 , 小信号模型 , 微波特性 , 低温

ZSM-35分子筛的合成及其在1-己烯骨架异构化反应中的应用

谢素娟 , 王清遐 , 徐龙伢 , 吴志华

催化学报

关键词:

加工低凝环烷基原油的常减压装置的腐蚀与防护

裴力君 , 李茂东 , 吴志华

腐蚀与防护 doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2003.08.011

针对辽河石化分公司改造后的南蒸馏装置加工低凝环烷基原油中发生的腐蚀情况,进行了腐蚀机理分析,提出了相应的防护措施,为实现装置三年一修的目标提出一些建议.

关键词: 低凝环烷基原油 , 常减压蒸馏 , 腐蚀与防护

X射线荧光光谱法测定氧化铝中杂质含量

罗湘宁 , 李友元 , 吴志华

冶金分析 doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2003.05.013

对X射线荧光光谱测定氧化铝中杂质元素的方法进行了研究.利用系列标准样品制作工作曲线,采用混合熔剂四硼酸锂加偏硼酸锂(12+22)熔融制样法分析了SiO2,Fe2O3,Na2O,制备熔片的稀释比为1∶3;直接压片制样法分析了TiO2,V2O5,P2O5,ZnO.SiO2,Fe2O3,Na2O,TiO2,V2O5,P2O5,ZnO测定结果的RSD分别为2.61%,2.61%,2.33%,4.62%,8.24%,8.00%和1.79%.该方法用于氧化铝生产控制及产品分析,数据准确、可靠,结果令人满意.

关键词: X射线荧光 , 压片 , 熔融 , 氧化铝 , 杂质