王亮
,
王文青
,
李鑫
,
吴成龙
,
郑云友
,
宋泳珍
,
李伟
,
李正勳
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122702.0204
通过改变压力、O2和SF6的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合模式下对PR胶灰化速率、均匀性、H/V比值的影响.研究结果表明:在一定范围内随着压力的不断增大,PR的刻蚀速率逐渐增大,同时刻蚀的均匀性也逐渐变好,H/V逐渐变大；增加单组分SF6流量时刻蚀率和H/V比值均先增大后减小,而刻蚀均匀度数值有先减小后增大的趋势；增加单组分O2流量时PR灰化速率变化不明显,但刻蚀的均匀性逐渐变好,H/V比值先增大后减小；当O2和SF6的流量比例不变时,同时增加O2和SF6流量,PR灰化速率会先增加后减小,均匀性数值和H/V比值先减小后增大.
关键词:
干法刻蚀
,
增强型阴极等离子耦合
,
PR灰化速率
张光明
,
刘杰
,
徐守宇
,
郑云友
,
吴成龙
,
曲泓铭
,
李伟
,
宋泳珍
,
李正動
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0224
为了减少制造工艺的流程,改进的4-Mask工艺被广泛应用.但这个工艺仍存在一些问题,如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9h),则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀.除了缩短上述间隔时间的方法外,本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法,很好地阻止了对Al的腐蚀,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.
关键词:
有源层
,
腐蚀
李鑫
,
卞丽丽
,
陈曦
,
吴成龙
,
贠向南
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0904
为了对 TFT-LCD 中的闪烁不良进行改善,本文通过研究 TFT-LCD 中干法刻蚀(Nplus Etch)对 TFT 特性的影响,以此对刻蚀条件(Power、Gas)进行优化,达到降低 Photo-Iof 的目的。实验结果表明,当干法刻蚀主工艺条件为：Source/Bias=4 k/5 k、Press=90 mT、SF6/O2=1.1 k/3 kml/min,AT Step 条件为：Source/Bias=2 k/2 k、Press=100 mT、SF6/O2=3 k/3 kmL/min 时,Photo-Iof 由量产最初的58.15降至20.52,闪烁由15%~30%降至10%以下。干法刻蚀工艺条件的优化对 TFT 特性以及闪烁有明显改善效果。
关键词:
干法刻蚀
,
TFT 特性
,
闪烁改善
