杨辉
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朱世富
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赵北君
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何知宇
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陈宝军
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吴圣灵
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吴敬尧
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孙宁
稀有金属材料与工程
利用毛细管中的差热分析研究了磷硅镉晶体的热力学性质,得到了磷硅镉的熔点和凝固点分别为1139和1126℃,过冷度为13℃.根据差热分析结果,对晶体生长炉以及温场分布进行了优化,采用改进的布里奇曼法生长得到了直径15mm,长40 rnm的无开裂磷硅镉晶体.利用X射线衍射,能谱以及红外分光光度计对晶体进行了表征.发现了(112)解理面,能谱测试表明晶体符合化学计量配比,在7000～1500 cm-1红外透光范围内红外透过率达到55％.所有表征手段显示得到的晶体结构完整,光学性能良好,可用于器件的制作.
关键词:
磷硅镉
,
晶体生长
,
表征
,
差热分析
杨辉
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朱世富
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赵北君
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何知宇
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陈宝军
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孙宁
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吴敬尧
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林莉
人工晶体学报
设计出PBN内衬的逐层减压石英生长安瓿,采用改进的垂直布里奇曼法,获得了完整无开裂的CdSiP2晶体,尺寸达φ15 mm × 65 mm.采用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱仪对生长的晶体进行测试表明,生长晶体化学成分非常接近CdSiP2的理论化学配比,结晶性良好.运用红外分光光度计以及红外显微镜对厚度2mm的CdSiP2晶片进行了红外光学性能测试,结果表明,在2～5 μm范围内的红外透过率在53％以上,晶片的红外透过率均匀性接近90％.对CdSiP2晶体a轴方向与c轴方向的热膨胀系数αa和αc分别进行了测定,在温度620K时,a轴方向的热膨胀系数αa高达4×10-6 K-1,几乎为αc的三倍.计算得到Cd-P键rCd-P的热膨胀系数为17×10-6 K-1,比Si-P键rSi-P大得多,采用电子结构理论分析了CdSiP2晶体各向异性热膨胀机理.
关键词:
CdSiP2
,
晶体生长
,
布里奇曼法
,
热膨胀
