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低功耗电路阈值电压的调节

吴福炜 , 甘骏人

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.017

在分析了阈值电压的影响因素的基础上,分别通过工艺和电路两种途径调整阈值电压.在布尔乘法器设计中,对关键路径上的器件采用较低的阈值电压以提高速度,其余器件仍然保持较高的阈值电压以避免过大的漏电流,模拟结果表明1.0V工作时的功耗比3.3V降低近90%,而延时仍然保持在较合理的范围内,从而达到了保持性能和降低功耗的设计目标.

关键词: 电路工艺 , 低功耗 , 阈值电压

低钴含硅LaNi5型储氢合金

吴福炜 , 李重河 , 黄铁生

中国有色金属学报

用悬浮熔炼法制备了不同含硅量的低钴LaNi5型储氢合金, 用XRD法测定其结构, 并测试了电化学容量和寿命, 分析了Si含量对性能的影响, 合成了新型储氢合金La0.8Nd0.2Ni3.6Co0.4Mn0.4A10.3Cu0.1Fe0.1Si0.1, 其比容量为303mAh/g, 300次循环后的容量还有其最高容量的84%.

关键词: LaNi5型储氢合金 , 合金制备 , 电化学

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