张徐
,
刘波
,
宋三年
,
姚栋宁
,
朱敏
,
饶峰
,
吴良才
,
宋志棠
,
封松林
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13210
采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响.结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26％、刻蚀功率为400W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)、刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好.
关键词:
新型相变材料
,
干法刻蚀
,
CF4+Ar气体
,
刻蚀速度
陈燕
,
佘秋明
,
吴爱林
,
宋新山
,
宋志棠
,
姚栋宁
,
吴良才
人工晶体学报
分别采用原子层沉积(ALD)和磁控溅射法(MS)在Si和石英衬底上制备TiO2薄膜,并进行退火处理.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计对这两种方法制备薄膜的晶型结构、表面形貌和光学特性进行分析对比.结果显示,对于沉积态TiO2薄膜,ALD-TiO2和MS-TiO2未能检测到TiO2衍射峰.ALD-TiO2为颗粒膜,其表面粗糙,颗粒尺寸大;MS-TiO2薄膜表面平整.经退火后,两种方法制备的TiO2薄膜能检测到锐钛矿A(101)衍射峰,但结晶质量不高.受薄膜表面形貌和晶型结构等因素影响,退火前后ALD-TiO2透过率与MS-TiO2透过率变化不一致.对于沉积态和退火态薄膜的禁带宽度,ALD-TiO2分别为3.8eV和3.7 eV,吸收边带发生红移,MS-TiO2分别为3.74 eV和3.84 eV,吸收边带发生蓝移.
关键词:
原子层沉积
,
磁控溅射
,
TiO2薄膜
,
退火
刘奇斌
,
宋志棠
,
吴良才
,
封松林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.009
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度.本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性.MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层.这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2.不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小.随着扫描速率的增加,平带电压的漂移和存储电荷也减小.
关键词:
Ge纳米晶
,
高k介质
,
C-V曲线
倪鹤南
,
吴良才
,
宋志棠
,
惠春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.007
优化了金属纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag纳米晶.在此基础上,制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构.利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态.电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间290s,具有较好的保留性能.
关键词:
非挥发性存储器
,
纳米晶
,
金属纳米晶
徐成
,
刘波
,
冯高明
,
吴良才
,
宋志棠
,
封松林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.009
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能.结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阚值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度.
关键词:
Sn掺杂
,
Ge2Sb2Te5
,
相变存储器
,
器件单元
,
存储性能
倪鹤南
,
吴良才
,
宋志棠
,
惠唇
稀有金属材料与工程
研究了镍纳米晶镶嵌在MOS(金属—氧化物一半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性.制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶.采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸7nm,密度1.5×1012/cm2的镍纳米晶.电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性.结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在MOS结构中.
关键词:
纳米晶存储器
,
镍纳米晶
,
MOS结构
,
电荷存储特性
