周健华
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周圣明
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邹军
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黄涛华
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徐军
,
谢自力
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韩平
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张荣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.022
本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.
关键词:
r面蓝宝石
,
γ-LiAlO2
,
a面GaN
,
m面GaN
林辉
,
宋涛
,
周健华
,
黄涛华
,
夏国栋
,
邹军
,
董亚明
,
王军
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.033
采用溶胶凝胶法在LiAlO2(302)衬底上制备了ZnO薄膜.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对样品的结构和形貌进行了表征.XRD结果表明,随着热处理温度的升高(350℃、450℃、550℃、600℃、800℃),所得到的薄膜分别为单相ZnAl2O4(350℃),ZnAl2O4和ZnO的混合相(450℃)以及单相的ZnO(550℃、600℃、800℃),并且ZnO薄膜c轴择优取向的生长趋势随温度升高相应明显.SEM图像显示,随着热处理温度的升高,ZnO薄膜的粒径相应变大.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
LiAlO2
,
ZnO
,
XRD
,
SEM
