潘安
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李建保
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陈拥军
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骆丽杰
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周小惠
材料导报
三元化合物硼碳氮纳米管作为碳纳米管和氮化硼纳米管的衍生物,其禁带宽度主要取决于纳米管的成分,与手性和直径无关,且在0～5.5 eV范围内可调;另外,硼碳氮纳米管具有优良的电学性能、高硬度、高耐磨性及高温抗氧化等性质,使其在电子、光电子和纳米器件等领域具有广阔的应用前景.综述了硼碳氮纳米管制备方法的研究现状,并介绍了材料的生长机理、结构、性质和应用前景,简述了工艺条件对纳米管形成的影响,并对今后硼碳氮纳米管的研究方向提出了设想与展望.
关键词:
BCN纳米管
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制备
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性质
周小惠
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骆丽杰
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李建保
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陈拥军
硅酸盐通报
本文以氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)为原料,在N2气氛条件下于1700℃直接热处理合成了大量的Si3N4纳米带.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等方法对样品的物相、微观结构进行了表征.结果表明:合成的Si3N4纳米带厚约50 nm,长达数百微米,纯度高且结晶好.纳米带沿α-Si3N4的[201]方向生长,属于气-固(VS)生长机制.Si3N4纳米带在360～ 496 nm范围内具有较强的发射峰,表明所合成的Si3N4纳米带具有优异的光致发光性质,在光电纳米器件中具有潜在的应用前景.
关键词:
氮化硅
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纳米带
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化学气相沉积
,
光致发光
