孟凡明
,
胡素梅
,
傅刚
,
周方桥
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.027
研究Ta2O5对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响,发现按配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5配制的样品具有最低压敏电压(E10mA=1.2V·mm-1)、最大相对介电常数(εra=2.002×105)及较小非线性系数(a=2.6).考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求,Ta2 O5最佳掺杂量在0.085mol%与0.1mol%之间.
关键词:
TiO2基压敏陶瓷
,
压敏电压
,
非线性系数
,
介电常数
陈志雄
,
周方桥
,
付刚
,
唐大海
材料导报
从变价金属氧化物n型半导化的内在因素出发,分析了ABO3,型钙钛矿结构的特点,总结归纳结构因素对n型半导化影响的主要规律.综合分析了钙钛矿结构氧化物陶瓷半导化已有的一些较系统的实验研究结果.表明这些结果与本文得到的主要规律能够相互印证.对钙钛矿结构氧化物半导体陶瓷中叶电子导电机制.也作了进一步的阐明.
关键词:
钙钛矿结构
,
n型半导化
,
氧空位
,
变价
,
跳跃电导
周方桥
,
李莉
,
傅刚
,
陈志雄
,
庄严
无机材料学报
用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而 Sr2+主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800℃以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度。才能使非线性系数有所改善.
关键词:
（Sr
,
Nb）-TiO2 ceramic
,
semiconductor
,
varistor
周方桥
,
李莉
,
庄严
,
傅刚
,
陈志雄
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.015
用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而Sr2+主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800°C以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度,才能使非线性系数有所改善.
关键词:
(Sr,Nb)-TiO2陶瓷
,
半导体
,
压敏电阻
