宋学萍
,
周桃飞
,
赵宗彦
,
孙兆奇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.05.026
用直流溅射法在Si基片上制备了250nm厚的Al膜,并在不同退火温度下进行退火处理,用X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究.结构分析表明:退火后的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;随着退火温度由20℃升高到400℃,薄膜的平均晶粒尺寸由22.8nm增加到25.1nm;薄膜晶格常数在不同退火温度下均比标准值4.0496稍小.应力分析表明:随退火温度的升高,Al膜应力减小,300℃时平均应力减小为-2.730×10 8Pa且分布均匀;在400℃时选区范围内应力差仅为3.828×10 8Pa.
关键词:
溅射Al薄膜
,
微结构
,
应力
,
退火温度
陈春霞
,
潘亚林
,
章建辉
,
钱天
,
周桃飞
,
李慧玲
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.04.009
研究了Al和Sn离子掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7输运性质的影响.发现Al,Sn掺杂后样品电阻率增加,并且半导体导电区域电阻值与可变程跃迁导电模型符合得较好;同时掺杂样品金属-绝缘转变温度逐步降低,最大磁电阻值比未掺杂样品增大.
关键词:
锰氧化物
,
掺杂
,
输运性质
王能语
,
周桃飞
,
李广
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.017
在5%Nb掺杂的SrTiO3衬底上用磁控溅射法外延生长了La1/aCa7/aMnO3薄膜形成异质结,该异质结有类似于传统P-n结的整流特性.磁场下扩散电压减小,当温度低于130 K以下,扩散电压的减小非常明显.这和在此温度以下,La1/8Ca7/aMnO3出现自旋倾斜态密切相关.我们计算出异质结的结电阻和磁致电阻(MR),在不同大小的正负偏压,不同磁场下,都得到负的MR值.我们给出界面附近的La1/8Ca7/8MnO3的能带结构并分析了外加磁场对洪德耦合,Jahn-Teller畸变等机制的作用,来解释该异质结的磁输运行为.结果有助于了解高Ca掺杂锰氧化物异质结的性质.
关键词:
磁致电阻
,
异质结
