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Mn-Mg共掺杂对钛酸锶钡薄膜介电性能的影响

周歧刚 , 翟继卫 , 姚熹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00519

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO 2/Si衬底上制备了系列Mn-Mg共掺杂的钛酸锶钡(Ba 0.25 Sr 0.75 TiO 3)薄膜. X射线衍射以及场发射扫描电镜分析表明: 薄膜为钙钛矿结构且无杂相生成, 薄膜表面晶粒均匀、无裂纹. 测试了不同浓度掺杂薄膜的介电性能, 掺杂浓度为1mol% 时, 薄膜的介电常数、损耗、可调性和漏电流密度分别为200、0.010、38%、1×10-5 A/cm 2. 性能改善后的薄膜材料可以用来制作微波可调器件.

关键词: BST薄膜 , Mn-Mg co-doping , sol-gel , dielectric property

Mn-Mg共掺杂对钛酸锶钡薄膜介电性能的影响

周歧刚 , 翟继卫 , 姚熹

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.03.029

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了系列Mn-Mg共掺杂的钛酸锶钡(Ba0.25Sr0.75TiO3)薄膜.X射线衍射以及场发射扫描电镜分析表明:薄膜为钙钛矿结构且无杂相生成,薄膜表面晶粒均匀、无裂纹.测试了不同浓度掺杂薄膜的介电性能,掺杂浓度为1mol%时,薄膜的介电常数、损耗、可调性和漏电流密度分别为200、0.010、38%、1×10-5 A/cm2.性能改善后的薄膜材料可以用来制作微波可调器件.

关键词: BST薄膜 , Mn-Mg共掺杂 , 溶胶-凝胶方法 , 介电性能

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