周海月
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赵振
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郭祥
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魏文喆
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王一
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黄梦雅
,
罗子江
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丁召
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.013
通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53 Ga0.47 As薄膜表面重构进行研究.研究发现在两种As4 BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β2(2×4)以及α2(2×4)三种重构类型.和低As4 BEP条件相比,高As4 BEP条件下反射式高能电子衍射仪图像更加清晰,高分辨率的STM扫描图片也能够分辨出各种重构类型.对高分辨率的STM扫描图像进行进一步分析得到,随着As4 BEP的升高,β2(2×4)重构类型明显减少,这是由于高As4 BEP减少In偏析,从而抑制β2(2×4)重构的产生.
关键词:
STM
,
In0.53Ga0.47As薄膜
,
As4BEP
,
表面重构
