毛旭
,
周湘萍
,
王勇
,
杨宇
功能材料
利用超高真空磁控溅射系统生长了不同偏压下Ge/Si薄膜材料,所生长的材料采用了不加偏压和加偏压的生长环境.通过X射线小角衍射分析表明,加一定偏压的Ge/Si薄膜材料的层状远比不加偏压的材料好,并且加偏压可有效降低材料的生长温度.在加15～25V偏压时,获得了300℃的生长温度下,层状优良,粗糙度小的薄膜材料.
关键词:
Ge/Si薄膜材料
,
偏压
,
X射线小角衍射
,
磁控溅射
周湘萍
,
毛旭
,
张树波
,
杨宇
功能材料
用Raman光散射的方法,观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的备Raman峰的变化,对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析.实验结果显示:Ge/Si多层膜经700℃热处理10min后,能改善各层的晶体质量,得到较完整的多层膜的结构.
关键词:
Raman光谱
,
Ge/Si多层膜
,
退火
