周白杨
,
雷德辉
中国有色金属学报
采用离子束溅射沉积(IBSD)法在聚酰亚胺衬底上沉积不同厚度Sm-Fe GMFs;采用磁致伸缩测量仪测试制备态和不同温度真空退火后薄膜悬臂梁结构自由端偏转量;利用赫姆霍兹系统测量制备态和真空退火后薄膜的幅频特性.结果表明:在低频(0～100 Hz)范围内,检测到悬臂梁结构Sm-Fe GMFs共振现象,薄膜经过200 ℃真空退火后,其低场磁敏性明显提高,在74.1 Hz的频率下发生共振,其振幅可达到300 μm,比制备态时提高了约3倍;制备的Sm-Fe GMFs显示出优异的幅频特性,振动与驱动电流的响应曲线表现出很好的跟随性.
关键词:
Sm-Fe GMFs
,
悬臂梁结构
,
低场磁敏性
,
频率
,
振幅
周白杨
,
高诚辉
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2006.02.008
以三元合金为基体的复合电沉积层综合了一般耐磨镀层的性能和所镶嵌的固体微粒的性能.为开发新型多元非晶态合金耐磨复合沉积层,以复合沉积层耐磨减摩性为主要衡量指标并综合考虑其他性能指标,用正交试验法进行了镍-铁-磷/金刚石复合电沉积工艺与性能的研究.结果表明,在试验所采用的复合电沉积工艺控制范围内,可获得金刚石微粒弥散分布的镍-铁-磷/金刚石复合电沉积层,通过调整沉积工艺参数,能得到不同金刚石微粒复合量的复合电沉积层;在镀态下该复合沉积层(基质)呈非晶态结构;较佳综合性能复合层的电沉积工艺参数为:镀液中金刚石微粒(0.5～1.0 μm)含量6 g/L;NaH2PO2·H2O含量2 g/L;FeSO4·7H2O含量70 g/L,其对制备具有良好摩擦学特性的镍-铁-磷/金刚石复合沉积层具有重要的参考价值.
关键词:
复合电沉积
,
镍-铁-磷/金刚石
,
沉积工艺
,
性能
卢志红
,
周白杨
,
邓光华
,
李碚
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2004.03.003
采用磁控溅射在聚酰亚胺薄膜以及黄铜等基片上成功制备出Sm-Fe超磁致伸缩功能薄膜,并且较深入地研究了溅射功率、工作气压、靶基距以及沉积不同阶段等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.结果表明:随溅射功率的减小和靶基距的增大,会不同程度地引起沉积速率的下降;随着工作气压的增大,最初沉积速率不断增大,当溅射气压增大到一定程度(1.5Pa)时,沉积速率达到最大值,之后随溅射气压的增大,又不断减小;对于黄铜和聚酰亚胺基片,溅射初始阶段的沉积速率低于后面阶段的沉积速率.
关键词:
磁控溅射
,
Sm-Fe
,
超磁致伸缩
,
沉积速率
张维
,
周白杨
,
刘俊勇
,
邢昕
,
李建新
人工晶体学报
采用磁控溅射方法沉积TiO2薄膜及电极层,制备W/TiO2/ITO薄膜阻变存储器单元.利用原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜进行表征,测试结果表明:TiO2薄膜表面平整、致密;组织结构以非晶为主,仅有少量的金红石相TiO2(110)面结晶;钛氧比为1∶1.92,其内部存在少量的氧空位.在电学测试中,元件呈现出了稳定的双极阻变现象,VSet分布在0.92 V左右,VReset分布在-0.82 V左右;元件窗口值稳定,数据保持特性良好.通过对元件Ⅰ-Ⅴ曲线线性拟合结果的分析,我们认为元件的阻变机理由导电细丝机制主导.进一步的分析发现,该导电细丝是由钨原子构成,钨原子在电场作用下发生氧化还原反应并在TiO2薄膜层中迁移,造成了导电细丝的形成和断裂.
关键词:
TiO2薄膜
,
阻变存储器
,
双极阻变
,
导电细丝
黄涛
,
周白杨
,
张维
,
吴波
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.10.033
利用第一性原理计算了TiNx体系中不同N含量(x=0、0.5、0.6和1)所对应TiNx晶胞结构的电子结构和光学性质.计算结果表明,TiNx均具有典型的金属性,随着N含量的增加,TiNx金属性减弱；精确计算了TiNx(x=0、0.5、0.6和1)晶体的介电函数和反射率函数,得出的计算结果与现有的理论吻合得较好,该结果为TiNx材料在分子原子尺度上的进一步设计及其应用提供了理论依据.
关键词:
TiNx
,
第一性原理
,
电子结构
,
光学性质
罗畅
,
周白杨
,
黄涛
,
吴武地
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.014
采用WO3陶瓷靶,运用射频反应磁控溅射工艺,通过正交试验方法优化实验参数,制备出性能优异的WO3电致变色薄膜,通过对薄膜进行真空热处理,提高了薄膜变色存储能力.结果表明,氧分量为60％、压强为2.5Pa、功率为145W时制备的薄膜,对光调制幅度(△T)达89.3％.适度温度真空热处理可改善薄膜性能,着色率略有提高,变色存储时间增加(达32h),离子存储能力增大(达3.96mC/cm2),循环稳定性能良好,同时热处理使薄膜晶化,密度增加,变色响应时间增加.
关键词:
WO3薄膜
,
射频反应磁控溅射
,
真空热处理
,
电致变色
周白杨
,
翁章钊
,
黎思文
,
陈志坚
,
刘全洲
,
李建新
稀有金属材料与工程
利用特制夹具,使玻璃衬底在镀膜过程中受到不同应力作用,镀膜结束后,当玻璃衬底从夹具取下后,利用其恢复到原来状态,可以对稀土Sm-Fe-B薄膜产生压应力作用.通过调整夹具使衬底具有不同的预应力,可得到受到玻璃衬底不同压应力作用的薄膜样品.利用LK-G 150激光微位移传感器与交变梯度磁强计(AGM)分别测试薄膜悬臂梁自由端偏转量与磁滞回线,以研究具有不同压应力对薄膜的磁致伸缩性能的影响,并且利用磁力显微镜(MFM)测试了薄膜样品垂直表面的磁畴分布情况.实验结果表明:受到压应力作用的薄膜易磁化轴都位于膜面内,以面内各向异性为主,磁畴结构基本分布在面内.随着压应力的增加,易磁化轴由膜面内的短轴转向膜面内的长轴,这一转变有利于器件的设计,但是磁畴在垂直膜面方向略有提高,薄膜的低场磁致伸缩性能也随着压应力的增大而有显著提高.
关键词:
Sm-Fe-B薄膜
,
压应力
,
磁致伸缩特性
,
磁畴
陈志坚
,
李建新
,
周白杨
,
温翠莲
中国有色金属学报
采用射频磁控溅射Mg-Si二元复合靶制备Mg2Si热电薄膜,研究溅射功率、真空退火温度及退火时间对其性能的影响,探究较优的Mg2Si薄膜制备工艺.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪、薄膜Seebeck系数测量系统对薄膜特性进行测试.由薄膜断面的能谱分析可知,Mg、Si元素在薄膜中分布均匀,且薄膜中Mg与Si摩尔比为2∶1,与Mg2Si相的组成摩尔比相符;XRD测试结果表明,溅射功率、真空退火温度及退火时间对薄膜的成膜质量均有影响.霍尔效应测试及Seebeck系数测量结果表明:所制备的Mg2Si薄膜均为n型半导体薄膜,其Seebeck系数的取值范围为-278.648～-483.562 μV/K,薄膜电导率的取值范围为1.240～46.926 S/cm;120 W溅射功率下沉积的Mg2Si薄膜经400℃真空退火保温3h后,获得最大功率因子,其值为0.364 mW/(m·K2).
关键词:
Mg2Si薄膜
,
射频磁控溅射
,
工艺优化
,
热电性能
