张万里
,
彭斌
,
唐晓莉
,
蒋洪川
,
张怀武
功能材料
采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值达6.5%的NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结.样品制备采用一系列的掩模,Al2O3层的制备采用RF反应溅射并原位热氧化方法,隧道结的面积为0.2mm×0.2mm.样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线说明了样品中隧道效应的存在,利用XPS分析了样品界面特性及样品成分随膜厚的变化.
关键词:
磁性隧道结
,
RF反应溅射
,
隧道磁电阻
苏桦
,
张怀武
,
唐晓莉
,
向兴元
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.03.011
为获得具有高磁导率、高居里温度的NiCuZn铁氧体材料,研究了MoO3掺杂对NiCuZn铁氧体微观结构及电磁性能的影响.少量MoO3掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高,而居里温度仅有较小幅值的下降.但掺杂过量时,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加.在配方(Ni0.28Cu0.1Zn0.62)Fe2.04O4中,当MoO3掺杂为0.12wt%时,可获得起始磁导率为2650,而居里温度高达到105℃的铁氧体材料.
关键词:
NiCuZn铁氧体
,
起始磁导率
,
居里温度
,
MoO3掺杂
蒋向东
,
张怀武
,
文歧业
,
张万里
,
唐晓莉
功能材料
采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化.研究了在不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和阻抗性能.CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm,阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200MHz左右,极大改善了薄膜的软磁性能.
关键词:
薄膜
,
软磁膜
,
纳米晶化
唐晓莉
,
张怀武
,
苏桦
,
钟智勇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00741
半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料, 由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注. 但由于铁元素存在多种价态的氧化物, 使得制备单一成分的Fe3O4非常困难, 因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究, 探索了晶化温度对薄膜结构的影响, 并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善, 得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件. 另外, 通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试, 发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应, 因此有望将其应用到自旋电子器件中.
关键词:
半金属材料
,
spintronic material
,
Fe3O4 thin film
蒋向东
,
张怀武
,
文歧业
,
钟智勇
,
杨争
,
唐晓莉
功能材料
采用DSC热分析技术,结合XRD、TEM和AFM实验,对磁控溅射制备的Co85.5Nb8.9Zr5.6非晶合金软磁薄膜进行了变温和等温晶化动力学的研究.研究结果表明:升温晶化时,薄膜的晶化的表观激活能为99.82kJ/mol;局域激活能随晶化度增加;在等温晶化过程中,平均激活能为88.51kJ/mol,Avrami指数1.17～1.39,晶化行为主要是一维表面晶化,晶核长大受扩散控制的过程.
关键词:
晶化动力学
,
纳米晶
,
软磁薄膜
唐晓莉
,
张怀武
,
苏桦
,
钟智勇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.037
半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料,由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注.但由于铁元素存在多种价态的氧化物,使得制备单一成分的Fe3O4非常困难,因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究,探索了晶化温度对薄膜结构的影响,并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善,得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件.另外,通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试,发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应,因此有望将其应用到自旋电子器件中.
关键词:
半金属材料
,
自旋电子材料
,
Fe3O4薄膜
